1200-В IGBT с обратной проводимостью (RC-IGBT), оптимизированные для работы в режиме жесткой коммутации
Компания Fuji представляет кристаллы RC-IGBT с рабочим напряжением 1200 В, разработанные с применением новейшей тонкопленочной технологии производства пластин. Характеристики этих RC-IGBT показывают такое же соотношение между потерями проводимости и переключения, как и у шестого поколения обычных IGBT и FWD. Кроме того, данное отношение можно оптимизировать для режима жесткого переключения путе... 