Последние достижения технологий высоковольтных IGBT

В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а...

Широкий диапазон рабочих температур модулей высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором и высокой развязкой

Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования.