Перевод: Наджим Хамзин Владимир Веревкин Устойчивость полевого транзистора CoolMOS™ к лавинному процессу Как и обычные MOSFET, полевые транзисторы CoolMOS™ устойчивы к лавинному процессу. Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных полевых транзисторов MOSFET благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на 600 В. На рис. 12 показано типичное напряжение лавинного пробоя в зависимости от температуры и плотности тока для CoolMOS™ полевого транзисторов на 600 В. ...

В статье описаны стандартные методы экспериментального исследования лавинного процесса и проблемы, связанные с ним, в импульсных источниках питания, а также характеристики безопасного режима при лавинных процессах в CoolMOS™ полевых транзисторах. Показано, что хотя транзисторы серии CoolMOS™ и не велики по размеру кристалла по сравнению с обычными полевми транзисторами MOSFET, но все же обесп...