Миниатюрные МОП 600 В SuperJunction Power MOSFET

Компания Toshiba Electronics Europe объявила о том, что технология транзисторов МОП нового поколения SuperJunction (SJ) DTMOS-IV Power MOSFET впервые доступна в низкопрофильном корпусе с малым контуром DFN. Новые транзисторы оптимально подходят для использования в высокоскоростных переключателях источников питания, дросселях освещения и других областях, требующих компактной альтернативы более распространенным устройствам D2PAK и DPAK. При номинальных значениях тока от 9,7 до более чем 30 А новые устройства семейства TKxV60W транзисторов МОП 600 В MOSFET обладают сверхнизкими номинальными ...

Перспективные полевые МОП-транзисторы DTMOS, U-MOS компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor (TSC), входящая в группу Toshiba Corporation, является одним из крупнейших мировых производителей дискретных полупроводниковых приборов и микросхем. В каталоги компании 2013 г. включены силовые полевые транзисторы средней и большой мощности, IGBT, комбинированные сборки транзисторов и диодов различного типа, а также MOSFET для автомобильных приложений. В категорию...