Миниатюрные МОП 600 В SuperJunction Power MOSFET
Компания Toshiba Electronics Europe объявила о том, что технология транзисторов МОП нового поколения SuperJunction (SJ) DTMOS-IV Power MOSFET впервые доступна в низкопрофильном корпусе с малым контуром DFN. Новые транзисторы оптимально подходят для использования в высокоскоростных переключателях источников питания, дросселях освещения и других областях, требующих компактной альтернативы более распространенным устройствам D2PAK и DPAK.
При номинальных значениях тока от 9,7 до более чем 30 А новые устройства семейства TKxV60W транзисторов МОП 600 В MOSFET обладают сверхнизкими номинальными ...