Исследование устройств преобразовательной техники на кондуктивную помехоэмиссию с использованием LTSpice
В данной работе, посвященной исследованию влияния используемых схем замещения элементов силовой структуры на результаты моделирования в частотной области, в качестве критерия адекватности моделирования используется сопоставление результатов моделирования с результатами испытаний натурного макета преобразователя с аналогичными параметрами.
Объектом исследования выбран непосредственный повышающий преобразователь напряжения (рис. 1). Принцип его работы заключается в том, что при открытом транзисторе VT1 происходит накопление энергии в дросселе L1. При этом нагрузка питается энергией, ранее накопленной в конденсаторе С1. При закрытом транзисторе энергия, накопленная в L1, передается на заряд конденсатора и нагрузку через диод VD1.
В моделирующем программном обеспечении LTSpice возможно использовать разнообразные схемы замещения элементов за счет задания реальных и нулевых параметров в перечне параметров схемы замещения элемента. При этом задание частичных параметров схемы позволяет получить различные схемы замещения.
Существуют различные схемы замещения MOSFET. На рис. 2 приведены наиболее распространенные в литературе варианты [1–3].
При моделировании силового преобразователя в LTSpice по умолчанию используется похожая схема замещения MOSFET с параметрами, приведенными в табл. 1 (ряд параметров изначально нулевые). Аналогично в таблице 2 приведены параметры, учитываемые в LTSpice для сопротивлений, индуктивностей, конденсаторов и силовых диодов.
Обозначение |
Название параметра |
Rg |
Омическое сопротивление затвора |
Rs |
Омическое сопротивление истока |
Rd |
Омическое сопротивление стока |
Vto |
Пороговое напряжение |
Kp |
Крутизна |
Cgdmax |
Емкость затвор–сток максимальная |
Cgdmin |
Емкость затвор–сток минимальная |
Cgs |
Емкость затвор–исток |
Cds |
Емкость сток–исток |
Cjo |
Емкость перехода внутреннего диода |
a |
Нелинейность параметра Cgdmin/Cgdmax |
Is |
Обратный ток |
Rb |
Объемное омическое сопротивление |
N |
Коэффициент эмиссии внутреннего диода |
tt |
Время восстановления внутреннего диода |
Eg |
Энергия активации внутреннего диода |
Vds |
Напряжение сток–исток |
Ron |
Омическое сопротивление в открытом состоянии |
Qg |
Суммарный заряд |
Обозначение |
Название параметра |
R |
Сопротивление резистора |
LR |
Индуктивность резистора |
CR |
Емкость резистора |
С |
Емкость конденсатора |
Lc |
Последовательная индуктивность конденсатора |
Rc |
Последовательное сопротивление конденсатора |
Cc |
Параллельная емкость конденсатора |
Rcp |
Параллельное сопротивление конденсатора |
L |
Индуктивность дросселя |
Cl |
Параллельная емкость индуктивности |
Rl |
Последовательное сопротивление индуктивности |
Rlp |
Параллельное сопротивление индуктивности |
Ccm |
Синфазная емкость |
Is |
Ток насыщения диода |
Rs |
Омическое сопротивление диода |
N |
Коэффициент эмиссии диода |
Eg |
Энергия активации диода |
Xti |
Температурный коэффициент |
BV |
Обратное напряжение пробоя диода |
IBV |
Ток напряжения пробоя |
Cak |
Емкость перехода катод — анод |
Vj |
Напряжение диода в открытом состоянии |
M |
Классификационный коэффициент диода |
tt |
Время восстановления диода |
Iavg |
Средний ток через диод |
Vpk |
Максимальное напряжение |
Как видно, список параметров электронных компонентов довольно объемный, однако это не может гарантировать точности моделирования в частотной области, так как большинство параметров по умолчанию нулевые, хотя для временной области этих параметров более чем достаточно. Это подтверждается экспериментальными данными, приведенными на рис. 3–5. На рис. 5 приведены расчетная спектрограмма кондуктивных помех исследуемого преобразователя при использовании базовых схем замещения и спектрограмма, полученная при экспериментальном исследовании аналогичного преобразователя в соответствии с методиками ГОСТ; на рис. 3, 4 показаны расчетные и экспериментальные временные характеристики тока дросселя исследуемого преобразователя. Действующие и мгновенные значения тока дросселя отличаются не более чем на 10%, что является допустимым для инженерных расчетов, а полученный спектр помех расходится более чем на 50 дБ по отношению к экспериментальным данным и совпадает лишь в небольшом диапазоне частот 300 кГц…1 МГц.
Согласно ГОСТ, для исключения влияния реактивных параметров источника электропитания при проведении экспериментов по электромагнитной эмиссии необходимо согласовывать измерительную цепь приборов с питающей сетью. Для этого в измерительный комплекс вместе с селективным микровольтметром включен так называемый «эквивалент сети» с частотным диапазоном 10 кГц…0 МГц и коэффициентом калибровки 10±2,5 дБ, который решает вышеуказанные задачи. В связи с этим при моделировании также необходимо согласовывать питающую сеть по измерительному импедансу. Для этого в структурную схему модели необходимо вводить эквивалент сети (в соответствии с ГОСТ Р 51318.15-99 и ГОСТ Р 51319-99), который будет задавать измерительный импеданс питающей сети. На рис. 6 приведены схема испытаний и структурная схема эквивалента сети.
Помимо эквивалента сети, было решено добавить параметры эквивалентных схем дросселя, конденсаторов и резистора: LR, CR, Lc, Rc, Rcp, Cl, Rl,Rlp. Результаты расчетов с измененными параметрами приведены на сравнительной спектрограмме (рис. 7).
Как видно на рисунке, после ввода более полных параметров элементов в модель преобразователя удалось получить совпадение спектра частот 50 кГц…1 МГц. Однако для полноценного сравнения спектров такого диапазона недостаточно, поэтому решено внести синфазные емкости монтажных цепей Ccm. Полученная в результате добавления указанных емкостей расчетная спектрограмма представлена на рис. 8.
Она позволяет сделать вывод о сходимости результатов в диапазоне 50 кГц…30 МГц с погрешностью в 2–4 дБ, однако есть точка 3 МГц, в которой результат не совпадает на 9 дБ, что объясняется неучтенными резонансными/паразитными контурами соединительных проводов и конструктивными элементами.
На основании проведенных расчетов с помощью программного пакета LTSpice и сопоставления полученных результатов с результатами натурных экспериментов можно сказать, что данный программный продукт и использование полных схем замещения всех элементов цепей позволяют моделировать кондуктивную помехоэмиссию преобразовательных устройств с высокой степенью достоверности. Такой подход позволяет исключить дополнительные затраты, связанные с обеспечением электромагнитной совместимости разрабатываемых устройств.
- Power MOSFET — Electrical Characteristics. 2012.
- Electrical Engineering 105. Lecture 12. Spring, 1997.
- Vrej Barkhordarian. International Rectifier. EI Segundo, Ca. 2011.
- Скворцов В., Низаметдинов К. Моделирование кондуктивной помехоэмиссии в питающую сеть преобразователями параметров электрической энергии // Силовая электроника. 2013. № 1.
- H. Lee. Exact Simulation of Conducted EMI in Switched Mode Power Supplies. 99IECEC-01-2598.