Конференция «Силовая электроника на карбиде кремния и нитриде галлия»

В конце октября состоится конференция, которая будет посвящена силовым приборам, созданным на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). На конференции будут рассмотрены вопросы разработки и производства этих полупроводниковых приборов и их использование в силовых каскадах различной топологии, а также схемотехника преобразователей с такими устройствами.

К участию приглашаются специалисты в данной области.

Помимо российских компаний, работающих с этими приборами, конференцию посетят и представители зарубежных компаний, в чьей продуктовой линейке подобные решения давно уже заняли свое место. Ожидается участие таких компаний, как Cree, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics, SEMIKRON.

Для участия в конференции в качестве докладчика или слушателя необходимо связаться с организаторами мероприятия, используя форму обратной связи на сайте.