IGBT-транзисторы для автомобильных инверторов

 

Компания International Rectifier выпустила новый IGBT транзистор 1200 В/200 А для сильноточных, высоковольтных автомобильных инверторных модулей, применяемых в тяговом приводе электромобилей и гибридных автомобилей. Новые транзисторы AUIRG7CH80K6B-M также могут быть использованы в приводах средней мощности и в IGBT-модулях еще большей мощности.

IGBT-транзисторы для автомобильных инверторов

AUIRG7CH80K6B-M разработаны на основе trench-технологии последнего поколения, которая позволяет значительно снизить потери на проводимость и переключение. Прибор реализован в виде кристалла с небольшими площадками для пайки, расположенными на обеих сторонах (SFM — Solderable Front Metal), что позволяет осуществлять двусторонний отвод тепла и отказаться от проволочных соединений в пользу повышения эффективности и надежности работы прибора.

Среди других преимуществ AUIRG7CH80K6B-M — прямоугольная зона безопасной работы (SOA), максимальная рабочая температура до 175 oC, малое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, положительный температурный коэффициент, защитное выключение при выбросах напряжения, защита от короткого замыкания 6 мкс.

Приборы нормированы в соответствии со стандартами автомобильной промышленности и входят в специальную программу IR по повышенному контролю качества. Это позволяет применять их в широком спектре ответственных применений. Достаточно сказать, что кристаллы данной серии широко используются известнейшими мировыми производителями IGBT-модулей.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *