Силовая элементная база
- Принципы проектирования компании «Протон-Электротекс» на примере линейки новых однопозиционных модулей с шириной основания 50 мм
- Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
- Обзор продуктов IXYS.
Твердотельные реле и полупроводниковые модули высокой мощности - Тепловая сборка приборов GaN «на уровне чипов»
- IGBT Gen. 7 в трехуровневых преобразователях. Часть 1
- Конструктивные особенности и применение IGBT исполнения Press-Pack компании CRRC Times Semiconductor
- Драйвер IGBT: «ядро» или plug-and-play?
Базовые принципы и основные схемы
Приводы
Источники питания
- Эволюция функционала ограничителей выбросов напряжения для систем электропитания авиационной РЭА
- DC/DC-преобразователь и устройство зарядки конденсаторов с диапазоном входных напряжений 4,75–400 В
- Контроль поэлементных напряжений на литий-ионной аккумуляторной батарее на борту космического аппарата