Roll2Rail: силовые модули нового поколения для тягового привода — общие требования, рыночный анализ, технологическая дорожная карта и прогнозы. Часть 3. Рыночный анализ и технические требования к транспортным модулям нового поколения

№ 3’2021
PDF версия

Все статьи цикла

Силовые полупроводниковые приборы: рыночный анализ

Цель данной работы — обзор рынка силовых полупроводников за период до 2020 года с акцентом на силовые приборы, имеющие отношение к железно­дорожному транспорту. Сегодня в этом секторе доминируют модули Si IGBT с номинальным током от нескольких сотен до нескольких тысяч ампер и рабочим напряжением в диапазоне 1,7–3,3 кВ. Новые технологии широкозонных полупроводников бросают вызов кремниевым приборам, обещая повышение эффективности и снижение потерь. Поэтому анализ в основном сосредоточен на силовых Si- и SiC-модулях с рабочим напряжением 1,7–6,5 кВ.

Рынок полупроводниковых приборов составил примерно €15 млрд в 2020 году, наибольший рост отмечен для силовых модулей (около €5 млрд, рис. 1).

Рынок силовых приборов в период 2006–2020 гг.

Рис. 1. Рынок силовых приборов в период 2006–2020 гг.

Анализ показывает, что на рынке доминируют низко­вольтные приборы (400–900 В), однако этот сектор имеет меньший относительный прирост по сравнению с компонентами с номинальным напряжением выше 900 В (рис. 2). Повышение на 75% в классе напряжения 1,2–1,7 кВ в основном обусловлено развитием фотоэлектрических систем (PV), а также сегмента электромобилей (EV) и гибридных электромобилей (HEV). В диапазоне 2–3,3 кВ рост связан в первую очередь с развитием рынка ветроэнергетики, а также железнодорожных и энергетических систем. Считается, что увеличение мощности ветротурбин дает толчок к разработке преобразователей на основе силовых модулей с напряжением 3,3 кВ. В первую очередь это происходит на китайском рынке, где действуют менее строгие требования к безопасности, и в меньшей степени — в Европе, где переход с приборов 1,7 кВ на 3,3 кВ сопровождается повышением требований к безопасности и увеличением вложений в сервисное обслуживание.

Рост рынка силовых полупроводников в период 2014–2020 гг. в разных диапазонах напряжения

Рис. 2. Рост рынка силовых полупроводников в период 2014–2020 гг. в разных диапазонах напряжения

Рост сектора высоковольтных приборов обусловлен развитием систем передачи и распределения энергии (T&D). При производстве энергии в основном используются модули низковольтного или средневольтного диапазона.

Крупнейшие инвестиции поставщиков силовых полупроводников делаются в специализированные транспортные низковольтные IGBT-модули. Средства также инвестируются в разработку высоковольтных приборов, что связано с их высокой прибыльностью.

 

Рынок Si IGBT

Общий объем рынка кремниевых IGBT составлял около €3,1 млрд в 2014 году, к 2020 году он вырос на 77%, до €5,5 млрд (рис. 3). Относительная доля IGBT в железнодорожных применениях невелика, она снизилась в относительных цифрах с 6% в 2014 году до 4% в 2020 году. Однако в абсолютном выражении показан рост на 22%: с €186 млн в 2014 году до €221 млн в 2020-м. Сектор электро- и гибридо­мобилей (EV/HEV) остается доминирующим для Si IGBT: он увеличился с €761 млн в 2014 году до €2,6 млрд в 2020-м.

Рост рынка Si IGBT по различным приложениям

Рис. 3. Рост рынка Si IGBT по различным приложениям

Цепочки поставок IGBT

На рынке присутствуют более десяти поставщиков кремниевых силовых IGBT-модулей. В 2014 году наибольшую долю рынка (26%) занимала компания Mitsubishi Electric, второе место принадлежало Infineon с долей 24%. Приобретение фирмы International Rectifier укрепило позиции Infineon и сделало конкуренцию между двумя лидерами рынка еще более жесткой. В первую семерку поставщиков входят производители силовых модулей, такие как SEMIKRON и Danfoss. Лидеры, имеющие наибольшую долю рынка в 2014 году, представлены на рис. 4 и 5.

Лидеры рынка Si IGBT по состоянию на 2014 год

Рис. 4. Лидеры рынка Si IGBT по состоянию на 2014 год

Крупнейшие поставщики IGBT по классам напряжения

Рис. 5. Крупнейшие поставщики IGBT по классам напряжения

Общий объем рынка SiC-приборов оценивался в €118 млн в 2014 году, он вырос до €388 млн к 2020 году. Наибольшее распространение SiC-диоды находят в корректорах коэффициента мощности (PFC), активно расширяется применение карбида кремния в фотоэлектрических (PV) системах (рис. 6). Рынок SiC для железнодорожных применений пока невелик (около €14 млн в 2020-м). На рис. 7 показан рост сектора SiC-приборов в ж/д системах для разных классов напряжения.

Рост рынка SiC-приборов для разных приложений

Рис. 6. Рост рынка SiC-приборов для разных приложений

Рост рынка SiC в ж/д системах по классам напряжения

Рис. 7. Рост рынка SiC в ж/д системах по классам напряжения

Поставщики силовых SiC-приборов

Состояние рынка SiC-приборов

Рис. 8. Состояние рынка SiC-приборов

Оценка стоимости модулей SiC MOSFET

На рис. 9 показана эволюция рыночных цен SiC MOSFET, оценка основана на данных по приборам 600 и 1200 В, она экстраполирована на 1700 и 3300 В на основе толщины эпитаксиального слоя, пропорциональной блокирующему напряжению. Рыночная цена SiC MOSFET составляла около 0,4 €/А в 2015/2016 гг., она снизилась примерно на 70% до 0,15 €/А к 2020 году.

Оценка рыночной стоимости SiC MOSFET по классам напряжения

Рис. 9. Оценка рыночной стоимости SiC MOSFET по классам напряжения

 

Общие требования

Цели и задачи

В данном отчете обозначены требования к усовершенствованному стандартизированному силовому модулю, ориентированному на применение в тяговом приводе. Основной целью европейского проекта R2R является повышение эффективности, надежности и срока службы тяговых железнодорожных преобразователей следующего поколения. Для решения этой задачи необходимо формирование общих требований с целью стандартизации основных параметров нового силового модуля, к которым относятся:

  1. Габаритные размеры.
  2. Топология и параметры распределенных (паразитных) элементов.
  3. Надежность.
  4. Условия окружающей среды.

Общие предложения по стандартизации и требования к электрическим характеристикам приборов, обеспечивающие будущие инновации и постоянное совершенствование технологий производства, не выработаны до настоящего времени. Задачей является снятие существующих технологических ограничений и реализация перспективных возможностей, в частности внедрение новых полупроводниковых материалов. Результатом исследований должно быть следующее:

  • Повышение плотности мощности за счет:
    • увеличения стойкости к термоциклированию;
    • повышения рабочей температуры;
    • уменьшения теплового импеданса;
    • увеличения контактной поверхности чипов для полной реализации его нагрузочных характеристик;
    • увеличения скорости коммутации за счет снижения паразитных индуктивностей контура.
  • Снижение стоимости.
  • Совместимость характеристик модулей различных производителей.
  • Модульность и масштабируемость.

Технические требования распространяются на полупроводниковые приборы на основе SiC и Si, то есть они относятся как к перспективным, так и к современным силовым модулям.

Максимальные значения

Напряжение изоляции

Напряжение изоляции определяется стандартом IEC 61287-1. Испытательное напряжение на уровне полупроводника должно быть немного выше уровня, используемого при тестах преобразователя. Исходя из этих соображений выбирают минимальные значения Viso_rms (50 Гц, 10 с) для каждого класса напряжений (табл. 1).

Таблица 1. Испытательные напряжения изоляции

VCES, В

Viso, кВ

1700

≥ 3,5

3300

≥ 5,5

4500

≥ 8,5

6500

≥ 9,5

Частичный разряд

  • Испытание на частичные разряды характеризует потенциальную деградацию изоляционных материалов при воздействии напряжения, поэтому этот тест является ключевым для оценки качества конструктива силового модуля.
  • Минимальное требование заключается в том, что в процессе эксплуатации не должно происходить частичных разрядов в изоляции.
  • Протокол испытания и профиль тестового сигнала (с уровнем предварительного стресса напряжения и уровнем измерения) даны в IEC 61287-1. Для каждого класса напряжения эти два уровня определены в таблице 2 и на рис. 10.
  • Критерий соответствия требованиям — менее 10 пКл (с учетом разрешающей способности испытательного оборудования).
  • Тест на частичный разряд выполняется после проверки изоляции (для обнаружения потенциального предварительного повреждения при диэлектрических испытаниях).
Профиль напряжения при испытаниях на частичный разряд

Рис. 10. Профиль напряжения при испытаниях на частичный разряд

Таблица 2. Уровни напряжения при испытаниях на частичный разряд

VCES, В

V1 = 1,5 × Um/√2, кВ

V1 = 1,1 × Um/√2, кВ

1700

1,8

1,3

3300

3,5

2,6

4500

4,6

3,4

6500

6,9

5,1

Температура

Температура хранения: диапазон расширен относительно климатического класса TX по стандартам EN 50125-1 и IEC 62498-1 до –50 °C (с учетом требований российского рынка) и +85 °C (с учетом транспортных требований и ситуаций нагрева от солнца в припаркованном транспортном средстве).

Рабочая температура кристалла: Tj — виртуальная температура кристалла по стандарту IEC 60747-9, определяющему, что в мультичиповых модулях она может отличаться от кристалла к кристаллу и не может быть измерена непосредственно, поэтому оценивается с помощью теплового импеданса.

Полупроводник должен обеспечивать безопасную эксплуатацию в заданном диапазоне температур, в том числе и в режиме повторяющейся коммутации.

Минимальное значение Tj_min определяется как минимальная температура окружающей среды по классу ТХ (EN 50125-1 и IEC 62498-1) внутри шкафа. Максимальное значение Tj_max для современных полупроводниковых кремниевых приборов +175 °C.

Конструкция модуля: конфигурация и терминалы

Топология

Новое поколение полупроводниковых модулей должно отличаться очень низкой паразитной индуктивностью силовых цепей, что позволит снизить коммутационные потери и увеличить скорость переключения.

Для силового модуля следующего поколения рассматривается три топологии (рис. 11):

  • полумост (фазная стойка);
  • чоппер с верхним ключом;
  • фазная стойка выпрямителя (Si PiN).
Конфигурации модуля

Рис. 11. Конфигурации модуля:
а) фазная стойка;
б) чоппер;
в) диодная стойка

Основная топология — полумостовой модуль (фазная стойка) с низкой внутренней коммутационной индуктивностью и расположением силовых выводов, обеспечивающим простоту и надежность подключения DC-шины. Также планируется выпуск низкоиндуктивного чоппера с ключом в верхнем плече. Потребность в диодном модуле (стойка выпрямителя) предусмотрена только для кремниевых PiN-диодов (не для SiC), поскольку технология карбида кремния в данном случае не дает преимуществ. Перечисленные топологии модулей необходимы для обоих вариантов исполнения (LVM и HVM).

Сигнальные выводы

Схема расположения сигнальных выводов показана на рис. 11, функциональное назначение описано в таблице 3.

Таблица 3. Назначение сигнальных выводов. R — необходимые, Т — планируемые

Вывод

Наименование

LVM

HVM

Использование

C1AUX

Коллектор (сигнальный)

R

R

Мониторинг Vce, детектирование КЗ

G1, G2

Затвор

Управление затвором

Е1AUX, Е2AUX

Эмиттер (сигнальный)

Управление затвором, мониторинг di/dt

Е1(main), C2AUX

Эмиттер (силовой) / Коллектор (сигнальный)

Т

Мониторинг di/dt, мониторинг Vce, детектирование КЗ

Е2(main)

Эмиттер (силовой)

Мониторинг di/dt

Т

Термистор

Мониторинг температуры

В дополнение к выводам управления затвором сигнальные клеммы коллектора и эмиттера считаются необходимыми для конструктива LVM и HVM. В низковольтном модуле (LVM) также требуются сенсорные выводы силового эмиттера и терморезистора. Эти клеммы не обязательны в высоковольтном модуле, но они считаются полезными и могут появиться в будущем.

Габаритные и установочные размеры

Основные размеры низковольтного (LVM) и высоковольтного (HVM) модуля показаны на рис. 12a, б, а также в таблице 4.

Габаритные и установочные размеры

Рис. 12. Габаритные и установочные размеры:
а) LVM;
б) HVM

Таблица 4. Механические характеристики LVM и HVM

Размер

Описание

LVМ, мм

НVМ, мм

А

Расстояние между осями DC–/DC+ терминалов

29,5

В

Расстояние между осями DC–/DC+ терминалов

46

44

С

Расстояние между краями DC–/DC+ терминалов

> 8

D

Расстояние между крепежными отверстиями на базовой плате

86

Е

Расстояние между крепежными отверстиями на базовой плате

127

BL

Длина базовой платы

140

BL

Ширина базовой платы

100

t

Толщина базовой платы

4–5

BHD

Диаметр монтажного отверстия базовой платы

6,5

ML

Длина модуля

140/144/150

144

L

Расстояние между осями DC+/АС– терминалов

118/112,5/128,5

118

G

Пространство для монтажа драйвера

65/69/75

81,5

h

Высота корпуса по сигнальным выводам

29,5/35

36

Н

Высота корпуса по силовым выводам

38/40

40

сс

Расстояние между центрами терминала DC+
и монтажного отверстия

4,5

 

Электрические характеристики

Цель нормирования механических и электрических характеристик состоит не только в стандартизации, но и в обеспечении некоторой степени свободы для внедрения возможных инноваций производителями силовых модулей. Однако паразитная индуктивность является ключевым параметром, который необходимо ограничить, поскольку эта величина непосредственно влияет на параметры схемы и драйвера затвора. Основные распределенные индуктивности модулей показаны на рис. 11а.

Коммутационная индуктивность модуля [C1–E2]

  • Динамические характеристики современных модулей (например, 190×140/140×130 мм) ограничены величиной индуктивности в цепи коммутации, наличие которой создает перенапряжение при выключении и, следовательно, требует ограничения скорости коммутации.
  • Снижение коммутационной индуктивности является одной из основных задач при разработке нового силового модуля, особенно с применением SiC-приборов.
  • Для исполнения LVM максимальное значение распределенной индуктивности установлено на уровне 10 нГн.
  • Для исполнения НVM (принимая во внимание низкую скорость приборов с напряжением свыше 3,3 кВ) максимальное значение распределенной индуктивности установлено на уровне 30 нГн.
  • Небаланс динамических характеристик из-за асимметрии цепи коммутации между верхним и нижним ключом должен быть минимизирован.

Индуктивность цепи затвора [G1–E1, G2–E2]

  • Цепь затвора должна быть низкоиндуктивной, чтобы не вносить искажения в сигнал управления.
  • Указать конкретные значения распределенных элементов невозможно, поскольку они зависят от паразитных емкостей чипов. Для предотвращения ложных включений следует подавлять паразитные осцилляции в контуре, образованном индуктивностью затвора и емкостями чипов. Необходимо выполнение условия Rg > 2LGX/C.
  • Индуктивность затвора может играть роль «усилителя тока» во время формирования плато Миллера. Низкие коммутационные потери необязательно достигаются при малой индуктивности затвора.
  • Следует минимизировать разницу скоростей коммутаций верхнего и нижнего плеча полумоста, топология силовых цепей должна быть максимально симметричной.
  • При использовании параллельных модулей для увеличения тока, цепи управления параллельными ключами должны быть симметричными.

Индуктивность цепи «сигнальный эмиттер — силовой эмиттер» [E1aux–E1main, E2aux–E2main]

  • Эта индуктивность используется для измерения и управления скоростью коммутации di/dt. Несмотря на ее вклад в общую индуктивность модуля, которую необходимо минимизировать, она должна иметь некоторую величину, чтобы сформировать сигнал обратной связи с разумной амплитудой для работы схемы управления.
  • Для исполнения LVM минимальное значение индуктивности — 2 нГн.
  • Для исполнения НVM (принимая во внимание низкую скорость приборов с напряжением свыше 3,3 кВ) минимальное значение индуктивности — 4 нГн.
  • Указанные величины должны быть одинаковыми для верхнего и нижнего плеча полумоста.

Условия окружающей среды, материалы

По сравнению со стандартными промышленными применениями тяговые приводы работают в гораздо более жестких условиях окружающей среды, которые характеризуются следующими факторами:

  • очень высокие или очень низкие температуры окружающей среды;
  • высокий уровень влажности;
  • образование конденсата;
  • высокие вибрационные воздействия.

Используемые в настоящее время спецификации и стандарты ориентированы в основном на условия окружающей среды, в которых эксплуатируется транспортное средство, но они не учитывают влияние внешних условий на микроклимат в корпусе конвертера. Для надежной работы полупроводниковых элементов знание этих особенностей внутреннего климата является ключом к надежной работе всего преобразователя.

На рис. 13 продемонстрирован принцип трансформации условий внешней среды во внутренний микроклимат. Соответствующие климатические спецификации для полупроводникового модуля должны предусматривать требования к трем базовым интерфейсам и определенным зонам, показанным на рисунке. На первом этапе определяются статические климатические параметры на основе существующих стандартов, например IEC 60721-3-5, EN 50125-1 и IEC 62498-1, используемых в качестве шаблона, включающего соответствующие требования для трех определенных интерфейсов. Эту спецификацию планируется использовать для стандартизации полупроводников.

Преобразование внешних условий окружающей среды во внутренний микроклимат

Рис. 13. Преобразование внешних условий окружающей среды во внутренний микроклимат

На втором этапе подготовки спецификации условия внешней среды преобразуются в более конкретные требования к параметрам внутреннего микроклимата. Выработка такой спецификации является одной из задач проекта Roll2Rail.

Кроме того, жесткость условий окружающей среды для тягового привода определяется наличием:

  • химически активных веществ;
  • загрязняющих жидкостей;
  • механически активных веществ.

Химические воздействия определяются в IEC 60721-3-5 (класс 5C2), за исключением «условий соляного тумана» и «условий твердой соли и соленой воды». Для классификации загрязняющих жидкостей класс 5F1 стандарта IEC 60721-3-5 должен быть расширен на:

  • чистящие жидкости: изопропанол и этанол;
  • охлаждающую жидкость: этиленгликоль;
  • термопасту.

Механически активные вещества рассматриваются в соответствии с классом 5S2, а биологические условия — в соответствии с классом 5B1 (стандарт IEC 60721-3-5).

Термоциклирование, срок службы

Термоциклирование

Срок службы IGBT в тяговых применениях ограничен стойкостью конструктива модуля к воздействию термоциклов. Поскольку будущие поколения полупроводников должны работать при более высоких температурах, тепловые стрессы, определяющие срок службы, также возрастут. Поэтому необходимо, чтобы модули следующего поколения не только имели высокую стойкость к циклическим изменениям нагрузки в заданных условиях эксплуатации, но и сохраняли эту способность при увеличении тепловых нагрузок. Оценка стойкости к термоциклированию при воздействии «активных» (DTj) и «пассивных» градиентов (DTc) изменения температуры производится следующим образом:

  1. Рассчитываются возможности имеющегося конструктива для определенных условий эксплуатации («современное состояние»).
  2. Для адаптации к повышенным нагрузкам требования увеличиваются примерно на 25%.
  3. Кривая термоциклирования сдвигается для получения аналогичной циклической способности при более высоких тепловых стрессах.
  4. Смещенная кривая используется для расчета требуемой стойкости к термоциклированию при заданном температурном градиенте → базовый уровень (Baseline Nf (5%), рис. 14).
Схематическая иллюстрация адаптации кривой термоциклирования

Рис. 14. Схематическая иллюстрация адаптации кривой термоциклирования

Расчетные параметры

Требования по активному и пассивному термоциклированию (см. выше) задаются с помощью ряда условий (для полупроводников с номинальной рабочей температурой +150 и +175 °С соответственно), которые определяются следующим образом:

  • Tjmax +135 °C (+155 °C) — +15 °C — запас для полупроводниковых приборов с рабочей температурой +150 °C, +20 °C — запас для полупроводниковых приборов с рабочей температурой +175 °C;
  • DTj 80K (100K) — предполагается, что система охлаждения стабилизируется на уровне +55 °C в периоды охлаждения (остановка станции);
  • tON (кристалл) 20 с — примерная длительность периода нагрева (ускоренные испытания);
  • Tcmax +120 °C (+135 °C) — примерная температура корпуса для величины Tj, указанной выше;
  • DTc 65K (80K) — предполагается, что система охлаждения стабилизируется на уровне +55°C в периоды охлаждения (остановка станции);
  • tON (корпус) 30 с — предполагается, что тепловая инерция корпуса модуля выше, чем у кристалла.

Срок службы

Ожидаемый срок службы силового полупроводникового модуля в железнодорожных системах может составлять 35 лет и более. Причем, как правило, без какого-либо технического обслуживания. Если ресурс электронного модуля меньше, чем срок службы оборудования, то производитель должен подготовить замену, совместимую по конструктиву, способу подключения и функциональному назначению.

Квалификационные испытания

Силовые полупроводниковые приборы для железнодорожных применений испытываются и квалифицируются в соответствии со стандартом IEC 60747-15. Недавнее обнаружение эффекта деградации и отказов силовых полупроводниковых модулей, вызванных влажностью, указало на необходимость модификации или разработки новых квалификационных испытаний для подобных систем. Новые и дополнительные тесты могут потребоваться и для силовых SiC-приборов, что также является темой для рассмотрения в рамках программы Roll2Rail.

 

Заключение

В течение ближайших лет силовые IGBT-модули останутся основной «рабочей лошадкой» для применения в железнодорожных системах. Технология IGBT рассматривается как достаточно зрелая, и в ближайшем будущем не ожидается кардинальных изменений показателей плотности мощности и частоты коммутации. Однако недавнее появление модулей IGBT 7-го поколения показало, что потенциал кремниевых ключей далеко не исчерпан и по соотношению технических и коммерческих показателей они способны конкурировать с широкозонными полупроводниками. Ожидается также, что внедрение новых IGBT с обратной проводимостью (RC-IGBT) позволит снизить потери проводимости примерно на 25% по сравнению с нынешним поколением Trench IGBT. Отметим, что для полной реализации преимуществ RC-IGBT требуются гораздо более сложные схемы управления затвором.

Использование технологии карбида кремния в мощных тяговых приводах может обеспечить значительное снижение потерь по сравнению с Si IGBT. Но для этого необходимо решить проблемы с надежностью, обеспечить долговременную стабильность параметров и коммерческую привлекательность SiC MOSFET. Карбидокремниевые силовые модули с номинальными характеристиками, пригодными для применения на железнодорожном транспорте, пока не представлены на рынке. Коммерчески доступная технология 1200 В SiC MOSFET может быть расширена на более высокие классы напряжения, но сроки разработки модулей требуемой мощности с напряжением 1700 и 3300 В в значительной степени зависят от уровня инвестиций.

Железнодорожное тяговое оборудование обычно рассчитывается на срок службы 30–40 лет, соответственно, запасные части должны быть доступны в течение этого времени. Поэтому тема физического и морального старения силовых полупроводниковых приборов нуждается в дальнейшем изучении как производителями элементной базы, так и разработчиками оборудования для железной дороги.

Доля силовых полупроводниковых приборов на рынке железнодорожных систем составляет 4–6%, то есть достаточно мала в сравнении с другими областями применения. Например, этот же сектор в отношении электромобилей (EV/HEV), по прогнозам, в ближайшие годы превысит 50%. Так или иначе объем рынка IGBT в ж/д приводах составляет сейчас около €30 млн.

Крупнейшие инвестиции производителей силовых приборов в настоящее время направлены на разработку специализированных модулей для автомобильных приводов. Тем не менее применение полупроводниковых ключей в железнодорожных системах дает более высокую прибыль, что становится хорошей мотивацией для инвестирования в данный сектор экономики. В результате на рынке уже появились и будут разрабатываться новые, усовершенствованные силовые ключи, ориентированные на применение в ж/д приводе. Один из наглядных примеров — новый полумостовой модуль SEMITRANS 20 в конструктиве LDV, разработанный компанией SEMIKRON. Аналогичные компоненты анонсированы и другими производителями под торговыми марками LinPak, LV100/HV100, nHPD2, XHP.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

hentao pornnporn.com telugu chatting west indies open sex youpornhindi.com first night xxnx maja mallika tamil dirty story xxxfiretube.com teen xxnx xxxxu indianpornsearch.com pooja kumar sex 喉奥性感イラマ痴女 浜崎真緒 javsextube.com 君嶋真由 i love porn sexxxymovs.com mallusexvideos tomcat doujinshi bluhentai.com tiny boobs giant tits history sequel black dog hentai mobhentai.com hentai onee chan jammu blue film indiananalfuck.com indian incest xvideos mugen fc2 javwhores.mobi 巨乳 あげ افلام نيك مترجم cyberpornvideos.com طيذ momteachessex indianxxxonline.com house wife x videos 君嶋真由 freejavonline.mobi クローゼット 寝取られ sexx tamil indianfuckass.com bengali milf mia khalifa hard fuck pelisporno.org newsexstory