Шестое поколение IGBT модулей Mitsubishi Electric: серия NX

 

Mitsubishi Electric выпустила новую NX-серию IGBT модулей, в которых применены IGBT кристаллы 6-го поколения — новейшая разработка этой компании.

Еще в 2007 году Mitsubishi Electric представила новую концепцию корпусов IGBT модулей — NX. Данная концепция основана на применении универсального базового основания (122×62 мм) для модулей с различной конфигурацией выводов и внутренней структурой. В новом поколении кристаллов применена усовершенствованная технология CSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor). Были разработаны и новые обратные диоды (FWDi) с улучшенным соотношением между напряжением (VF) и потерями переключения (Erec). Это позволило оптимизировать общий уровень потерь на модуле. В IGBT модулях на 1200 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 1,7 В (тип.) и SOA (область безопасной работы) на Vcc = 900 В. В IGBT модулях 17-го класса на 1700 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 2,2 В (тип.), SOA на Vcc = 1200 В.

Использование IGBT кристаллов нового поколения обеспечивает превосходные характеристики при параллельной работе модулей, а также устойчивость к короткому замыканию более 10 мкс. Максимальная температура IGBT кристаллов Tj(max) увеличена до 175 °C. Общие потери в ШИМ-инверторе примерно на 20% меньше, чем в модулях предыдущего 5-го поколения. Таким образом, выход новой NX-серии 6-го поколения IGBT модулей Mitsubishi Electric является большим шагом вперед на пути повышения эффективности преобразования энергии и сохранения природных ресурсов.

IGBT модули NX-серии обладают повышенной стойкостью к коротким термоциклам, а стойкость к длинным термоциклам (стойкость пайки) более чем в 10 раз превосходит характеристику IGBT модулей предыдущих технологий. Также для защиты по теплу во все стандартные IGBT модули NX встроен изолированный NTC-термистор.

IGBT модули выпускаются различной конфигурации: 2, 6 или 7 транзисторов в одном корпусе, а также в CIB-конфигурации (выпрямитель – инвертер – чоппер). Вся номенклатура модулей серии NX, с номиналами от 35 до 1000 А на 1200 В и от 50 до 600А на 1700В, реализована на двух вариантах основания: 122×62 и 122×122 мм.

IGBT модули 6-го поколения серии NX идеально подходят для применения в общепромышленных преобразователях, сервоприводах, фотоэлектрических инверторах, для которых требуется сочетание невысокой стоимости с высокой технологичностью. Все IGBT модули NX-серии соответствуют требованиям RoHS и сертифицированы по UL. Первые образцы IGBT модулей на 1200 В уже доступны для заказа начиная с июня 2009 года. Сейчас готовится к выходу линейка на 600 В.

 

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *