Новые силовые биполярные транзисторы Microsemi с изолированным затвором

 

Microsemi Corporation объявила о начале производства трех новых устройств из серии биполярных транзисторов с изолированным затвором NPT (non-punch through) с рабочим напряжением 1200 В.

Транзисторы APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J изготавливаются по технологии Power MOS 8, применение которой позволяет снизить потери не менее чем на 20% по сравнению технологическими процессами предыдущих поколений. Транзисторы специально разработаны для применения в силовых устройствах: сварочных аппаратах, преобразователях солнечной энергии, источниках бесперебойного питания и импульсных источниках питания.

Силовые транзисторы Microsemi с рабочим напряжением 1200 В могут иметь встроенный эпитаксиальный диод с быстрым восстановлением или диод Шоттки на основе карбида кремния. Это позволяет обеспечить высокую устойчивость к dv/dt и повысить надежность при использовании транзисторов в схемах с жестким переключением.

Основные характеристики новых силовых транзисторов компании Microsemi:

  • повышенные частоты коммутации за счет более низкого заряда на затворе Qg;
  • большая эффективность преобразования энергии благодаря способности работать на частотах более 80 кГц;
  • положительный температурный коэффициент, упрощающий параллельное включение;
  • возможность работы в режиме короткого замыкания (Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT), что увеличивает надежность конечного изделия.

Компания Microsemi также анонсировала выпуск транзистора APT85GR120JD60, выполненного в корпусе SOT-227 и содержащего встроенный 60-A антипараллельный диод. Этот диод имеет ультра малое время восстановления и производится по собственной технологии компании Microsemi.

Транзистор APT85GR120B2 выполнен в корпусе TO-247 MAX, в то время как APT85GR120L выпускается в корпусе TO-264, а APT85GR120J — в корпусе SOT-227. Новые биполярные транзисторы с изолированным затвором Microsemi запущены в серийное производство.

 

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *