Новые RC IGBT 3-го поколения от Infineon Technologies
Компания Infineon расширяет линейку 3-го поколения IGBT с обратной проводимостью (RC) и мягким переключением: добавлены транзисторы с рабочими напряжениями 1200 и 1350 В и рабочими токами 30 и 40 А.
В новых транзисторах потери при переключении на 20% меньше, что обеспечивает уменьшение температуры корпуса на 5К по сравнению со вторым поколением RC IGBT . Снижение потерь при переключении уменьшают тепловую нагрузку на устройство, что увеличивает срок службы и надежность системы.
Компоненты с рабочими токами 30 и 40 А с напряжением 1350 В рассчитаны на разработчиков, которым требуются большие значения рабочего напряжения и тока, что позволяет разрабатывать более инверторы с «однотранзисторной» топологией (single-end) мощностью до 3,6 кВт.
Кроме того, эти транзисторы, имея расширенную область безопасной работы SOA (Safe Operating Area), увеличивают допустимый диапазон токов и напряжений в переходных режимах, что позволяет увеличить надежность и прочность устройств.
Особенности устройств:
- лучшие в своем классе характеристики проводимости V CE(sat) и Vf;
- cамые низкие потери при переключении;
- высокий КПД;
- T j(max) = +175 °C;
- плавные формы кривых тока и напряжения при выключении, низкий уровень электромагнитных излучений;
- более высокое напряжение пробоя V BR(min) = 1350 В.
Преимущества:
- низкая рассеиваемая мощность;
- yлучшенный тепловой режим;
- меньшая стоимость всей системы;
- увеличенная прочность и надежность.
Основными областями применения новых RC IGBT являются:
- кухонные индукционные плиты,
- микроволновые печи,
- кастрюли для варки риса,
- инверторы для солнечных панелей,
- конвертеры с мягким переключением.