Новые MOSFET без использования свинца в стандартных корпусах TO для автомобильных применений

 

Инновационные технологии компании Infineon Technologies по изготовлению корпусов и тонких кремниевых пластин (60µм по сравнению со стандартными 175µм) обеспечивают новым 40-В силовым MOSFET OptiMOS T2 лучшие в своем классе характеристики. В корпусах без использования свинца (TO-220, TO-262 и TO-263) для крепления кристалла применяется метод диффузионной пайки. Из-за специфических требований, основанных на геометрии корпуса, толщинах выводов и размеров самого кристалла, данный метод пайки применим только для этих типов корпусов.

Новые MOSFET без использования свинца в стандартных корпусах TO для автомобильных применений

При производстве новых серий MOSFET компания Infineon превзошла существующие требования RoHS, регламентирующие количество свинца в припое, используемом при пайке кремниевых кристаллов к корпусу. Более строгие директивы ELV и RoHS, вступающие в силу в 2014 г., могут потребовать полного отсутствия свинца. Новые модули Infineon полностью отвечают этим требованиям.

Преимущества:

  • соответствие RoHS;
  • низкое сопротивление во включенном состоянии R DS(on);
  • за счет лучшей теплопроводности контакта кристалл–основание корпуса тепловое сопротивление на 40–50% ниже, чем при использовании обычной пайки;
  • более простое производство из-за отсутствия излишков припоя и высокой точности установки кристалла на основание;
  • высокая надежность за счет сокращения электромеханических напряжений внутри кристалла.

www.efo-power.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *