Мощные МОП-транзисторы от Toshiba с каналом n-типа на 100 В

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширяет линейку U-MOS VIII-H и представляет два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы предназначены для применения в устройствах быстрой зарядки, импульсных источниках питания и преобразователях постоянного тока. Оба мощных МОП-транзистора с каналом n-типа на 100 В поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В для устройств быстрой зарядки.

Наряду с этим более эффективные мощные МОП-транзисторы также необходимы для работы в выпрямителях на вторичной стороне. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных решений, что позволяет добиться ведущих в отрасли показателей быстродействия и сопротивления в открытом состоянии.

Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON)×Qsw), тем самым делая работу схем переключения более интенсивной. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность систем.

Допустимый ток транзистора TPH6R30ANL (ID) достигает 45 А при низком RDS(ON), равном всего 6,3 мОм, тогда как для TPH4R10ANL эти значения составляют 70 А и 4,1 мОм.

Поддержка управления логическими уровнями 4,5 В позволяет реализовать непосредственное управление от ИС контроллера и снизить энергопотребление. Кроме того, транзисторы совместимы с источниками питания с высоким выходным напряжением, необходимыми в системах, поддерживающих стандарт USB 3.0. Стандартный корпус SOP-Advance размером 5×6 мм экономит пространство на печатной плате.