Интегральные схемы и дискретные приборы фирмы Silan

В марте 2011 г. фирма «Неон-ЭК» подписала дистрибьюторское соглашение с крупнейшим китайским производителем полупроводниковых приборов Silan-IC, предлагающим микросхемы-драйверы светодиодов.

Не так давно в России, да и во всем мире, бытовало мнение, что китайская электроника делается в гаражах, на коленке, поэтому имеет столь низкое качество, да и срок службы такой электроники невелик. За последние несколько лет в связи со значительным ростом качества продукции компаний, достаточно успешно работающих как на мировом, так и на внутреннем рынке, произошло изменение в восприятии китайских и тайваньских производителей. Silan является одним из таких азиатских «тигров» — это быстрорастущая инновационная компания с приличной репутацией в Юго-Восточной Азии, но почти не известная в России.

Hangzhou Silan Microelectronics была основана в октябре 1997 г. в Китае с главным офисом в Ханчжоу. В марте 2003 г. компания начала продавать свои акции на Шанхайской фондовой бирже (SSE). В конце третьего квартала 2010 г. общие активы фирмы составляли около 2 млрд юаней (более $300 млн). В группу Silan входят несколько подразделений, в т. ч. Silan-IC и Silan Azure. Продукцию, выпускаемую Silan-IC, можно разделить на три основные категории:

• аналоговые интегральные микросхемы (ИС), производимые на основе собственных патентованных технологий;
• высоковольтные MOSFET, диоды Шоттки, быстровосстанавливающиеся диоды FRD, защитные диоды TVS;
• цифровые аудио/видео большие интегральные схемы (БИС).

Silan Azure имеет 12 MOCVD-реакторов для выращивания эпитаксиальных структур. Для сравнения, во всей России имеется всего лишь четыре подобных реактора. Основная продукция — светодиодные кристаллы.

Завод по производству полупроводников Silan-IC занимает площадь 125 тыс. кв. м и имеет полный цикл производства, в том числе эпитаксию кремниевых пластин. В НИОКР работают 200 специалистов, в их числе более 100 кандидатов и докторов наук. В городе Ченгду строится новый завод группы Silan общей площадью 310 тыс. кв. м. Сегодня предприятие располагает практически всеми современными технологиями (рис. 1).

Рис. 1. Возможности производства Silan-IC

Учитывая специфику журнала «Силовая электроника», считаем целесообразным более подробно рассказать о дискретных приборах Silan. Но сначала — кратко об ИС для построения маломощных импульсных источников питания (ИИП), совмещающих в одном корпусе ШИМ, цепи управления и защиты и встроенные высоковольтные ключевые транзисторы.

Интегральные микросхемы

Рассмотрим типовое включение микросхем фирмы Silan SD4841/42/43/44 (табл. 1), которые являются функциональным аналогом ИС PI TOP412/414, Fairchild FSDM0265RN, VIPPER и др. Как видно на рис. 2, микросхемы имеют сходную схемотехнику, а в документации обнаруживаются и сходные параметры. Ориентировочная стоимость самой мощной ИС Silan (15 Вт) серии SD4844 — примерно 13 руб. с НДС, и это основное отличие от конкурентов. В ближайшее время поступит в продажу новая версия семейства SD484х, которая будет обозначаться SD688x и иметь меньшее сопротивление ключа.

Рис. 2. Схема включения SD484X

AC/DC-конверторы со встроенными ключами

Микросхемы корректора фактора мощности для разнообразных источников питания производят многие фирмы. Не осталась в стороне и Silan, выпустив SA7527, pin-to-pin совместимую со многими аналогами (табл. 2). Надеемся, что работникам отделов снабжения понравится цена этой ИС — ~ 9,99 руб.

Более подробно с широким ассортиментом ИС Silan можно познакомиться на сайте производителя. Там вы можете увидеть, что Китай способен выпускать не только дешевые pin-to-pin-аналоги, но предлагает и системы на кристалле, и собственные патентованные разработки.

Транзисторы MOSFET

Недавно Silan объявила о разработке четвертого поколения высоковольтных MOSFET-транзисторов серии SVF, выпускаемых по собственной патентованной технологии F-cell. Рабочее напряжение этих приборов составляет 400–900 В, ток — 1–14 А, и корпусируются они в TO-92-3L, TO-220-3L, TO-220F-3L, TO-251-3L, TO-252-2L, TO-3PN. Попробуем сравнить транзисторы третьего поколения технологии S-Rin серии SVD с серией SVF.

Особенности и преимущества MOSFET-транзисторов SVF в сравнении с SVD

Мы сравнили данные из технической документации Silan и добавили для сравнения данные схожих по параметрам MOSFET известных производителей (табл. 3). SVF относятся к новому поколению HVDMOS с технологией F-cell, имеют меньший размер чипа по сравнению с SVD, и лучшие динамические характеристики. В сравнении с Fairchild и STM приборы Silan выглядят вполне достойно. Конечно, мы сравнивали их не с «флагманскими» приборами мировых лидеров, но в целом ряде устройств, где одним из основных требований является цена, MOSFET Silan будут востребованы. К примеру, стоимость SVF4N60D (MOSFET 4 A 600 V) с сопротивлением канала 2 Ом в корпусе TO-252 составит порядка 7 руб. В принципе, и на многие другие, широко распространенные MOSFET можно подобрать аналоги Silan (табл. 4).

Диоды

Технологии Silan позволяют выпускать быстровосстанавливающиеся диоды FRD (табл. 5) с рабочими напряжениями до 600 В и токами до 20 А, а также и диоды Шоттки (табл. 6), с рабочими напряжениями до 150 В и токами до 30 А. В ближайшее время появится SFR30S20T на ток 30 А и рабочее напряжение 200 В.

Всех поражает, как недорого стоят блоки питания из Китая. Теперь можно объяснить это тем, что китайцы сами производят в большом количестве недорогие качественные РЭК.

Элементная база производства Silan используется во множестве РЭА китайского производства. Впрочем, эту же продукцию предлагает и глобальный дистрибьютор Avnet. Теперь микросхемы и дискретные приборы Silan доступны и на российском рынке. У разработчиков и производителей появилась прекрасная возможность существенно удешевить свои изделия без снижения качества. Преимущества дискретных приборов Silan — короткие сроки поставки и очень привлекательные цены.