IGBT модули с топологией «повышающий чоппер + мост» для инверторной техники

Компания Microsemi расширила линейку модулей для преобразователей солнечной энергии, выпустив четыре новых IGBT модуля.

Все новые модули состоят из одиночного ключа для повышающей схемы и моста из IGBT ключей. Верхние IGBT выполнены по технологии «Trench & Field Stop», обладают малым напряжением насыщения и работают на меньшей частоте, чем нижние транзисторы, выполненные по технологии NPT и предназначенные для работы на частотах от 15 до 50 кГц. Повышающая схема в новых модулях предназначена для построения вспомогательного DC-DC преобразователя напряжения.

Диоды моста согласованы с транзисторами для повышения эффективности работы инвертора. Для снижения потерь восстановления диодов параллельно IGBT включены быстрые диоды с «мягким» восстановлением серии DQ. Низкое прямое напряжение диодов защищает нижний IGBT от перенапряжений при пересечении током нулевого уровня. Интегрированный датчик температуры обеспечивает защиту от перегрева корпуса модуля (SP6-P).

Два модуля рассчитаны на напряжение 600 В, а два других — на напряжение 1200 В. В каждом классе напряжения для модуля, рассчитанного на меньшую мощность, используется корпус SP4, а для модуля, рассчитанного на большую мощность – SP6-P. В модулях класса 6 в качестве одиночного ключа используется транзистор COOLMOS, а в модулях класса 12 – быстрый транзистор NPT IGBT. Для обоих классов используется быстрый диод с мягким восстановлением DQ-типа. Кроме того, для повышения частоты или снижения потерь при переключении есть возможность заказать модули с карбидокремниевым диодом вместо диода DQ-типа.

Основные параметры новых IGBT модулей топологии «повышающий чоппер + мост».

* – датчик температуры с отрицательным температурным коэффициентом