Новая технология РТ IGBT против мощных полевых транзисторов
Последнее время пристальное внимание разработчиков в области силовой электроники сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и, в частности, на возможности их использования как недорогой альтернативы мощным полевым транзисторам. В данной статье приводится сравнение динамических характеристик, потерь на переключение и пр...