Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...