Взаимосвязь разброса параметров силовых транзисторов и температуры их полупроводниковой структуры
В статье рассмотрена зависимость температуры силовых транзисторов от их параметров. Приведены результаты измерения различных параметров у 50 случайно отобранных IGBT-транзисторов одной серии. По измеренным параметрам рассчитываются мощность потерь и температура полупроводниковой структуры транзистора для статического режима работы при постоянном токе, строятся гистограммы распределения параметр... 