Взаимосвязь разброса параметров силовых транзисторов и температуры их полупроводниковой структуры

В статье рассмотрена зависимость температуры силовых транзисторов от их параметров. Приведены результаты измерения различных параметров у 50 случайно отобранных IGBT-транзисторов одной серии. По измеренным параметрам рассчитываются мощность потерь и температура полупроводниковой структуры транзистора для статического режима работы при постоянном токе, строятся гистограммы распределения параметр...

Петля теплового гистерезиса вольт-амперной характеристики силового полупроводникового прибора

Одним из главных параметров любого силового полупроводникового прибора (СПП), определяющим его нагрузочную способность и надежность, является температура полупроводниковой структуры. Поскольку ее непосредственное измерение не представляется возможным, для оценки теплового состояния СПП прибегают к различным косвенным методам. В статье излагается способ измерения одного из таких косвенных теплов...