Тепловая сборка приборов GaN «на уровне чипов»

Силовые полупроводники с широкой запрещенной зоной (WBG) начинают активно применяться в технике благодаря улучшению на порядок так называемых показателей качества (FOM). Их огромные возможности требуют пересмотра многих конструкторских решений, включая тепловую сборку [1].