Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов

ОАО ОКБ “Искра” совместно с ОАО Ангстрем в период с мая 2007 г. по сентябрь 2008 г. выполнили ОКР по разработке ряда мощных n-канальных DMOSFET силовых транзисторов с напряжениями 30–1200 В и токами 10–80 А. По результатам ОКР разработано свыше 30 типономиналов силовых транзисторов в корпусном и бескорпусном исполнении.

Новые высоковольтные силовые транзисторы с изолированным затвором 2П(КП)7154АС

ОАО «ОКБ «ИСКРА» совместно с ведущим российским предприятием в области микроэлектроники ОАО «АНГСТРЕМ» (Зеленоград), разработали мощный высоковольтный ДМОП силовые транзистор с поликремниевым затвором. Транзистор характеризуется максимальным напряжением «сток — исток» 600–1200 В, током стока 50–150 А, сопротивлением в открытом состоянии 0,08–0,3 Ом и низкими потерями при переключении. Конструкц...