Меньше, умнее и мощнее: использование 800-В транзисторов семейства CoolMOS P7 для разработки обратноходовых источников питания

Меньшие по габаритам, более умные и более мощные — именно такие тенденции наблюдаются на современном рынке для маломощных приложений с импульсным питанием (Switched-Mode Power Supply, SMPS). «Меньше» — чтобы такой источник питания имел более компактный форм-фактор и, следовательно, более высокую удельную плотность мощности. «Умнее» — для организации интеллектуального взаимодействия между систем...

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.

Проектирование и исследование понижающих импульсных преобразователей с обратным диодом и синхронным переключателем

Для современной силовой электроники характерно то, что громадными темпами развиваются конструкции и технологии производства силовых полупроводниковых приборов и силовых преобразователей, в том числе импульсных преобразователей постоянного напряжения (ППН). Благодаря повышению частоты преобразования при одновременном снижении потерь мощности увеличивается удельная мощность (выходная мощность на ...

Оптимизация качества источников питания, работающих с динамически меняющейся нагрузкой

Современные интегральные схемы (ИС) работают все быстрее и быстрее. Повышение скорости ведет к тому, что потребляемая мощность резко изменяется в большом динамическом диапазоне. Это порождает проблемы тестирования с применением программируемых источников питания (ИП). Высокая скорость изменения тока может приводить к провалам напряжения в цепи питания ИС. Если они достаточно чувствительны, то п...

Устройство на симисторах для сушки изоляции асинхронных двигателей

В разработанном инновационном автоматическом портативном устройстве для автоматизации технологического процесса импульсной сушки изоляции (СИ) увлажненных обмоток асинхронных двигателей общепромышленного и судового (корабельного) исполнения применены мощные силовые симметричные тиристоры (симисторы) отечественного производства. Приведен принцип действия предложенного и внедренного нового автома...

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью

С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.