Микросхемы «Ангстрема» конкурируют с продукцией ведущих мировых компаний

Компания «Ангстрем» успешно завершила экспериментальное исследование динамических параметров новых силовых приборов IGBT и FRD. Тестирование производилось специалистами кафедры промышленной электроники Национального исследовательского университета «МЭИ». По мнению экспертов, проводивших сравнительное тестирование, «Ангстрем» — единственное предприятие в России, которое провело квалифицированную разработку и способно организовать производство конкурентоспособных кристаллов IGBT и FRD. Это позволит российской компании встать в один ряд с такими крупнейшими мировыми производителями силовых ...

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.

Оптимизация качества источников питания, работающих с динамически меняющейся нагрузкой

Современные интегральные схемы (ИС) работают все быстрее и быстрее. Повышение скорости ведет к тому, что потребляемая мощность резко изменяется в большом динамическом диапазоне. Это порождает проблемы тестирования с применением программируемых источников питания (ИП). Высокая скорость изменения тока может приводить к провалам напряжения в цепи питания ИС. Если они достаточно чувствительны, то п...

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью

С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.

Мощные и эффективные IGBT седьмого поколения от IR

В статье представлена линейка 7-го поколения IGBT-транзисторов компании International Rectifier. Эти транзисторы найдут свое применение в приборах современной силовой электроники, где важны частотные характеристики и низкие потери проводимости.

Управление изолированными затворами MOSFET/IGBT, базовые принципы и основные схемы

Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT в динамических режимах во многом определяется скоростью коммутации емкостей затвора. Перезаряд этих емкостей осуществляется устройством управления (драйвером), от параметров которого во многом зависят характеристики всего преобразовательного устройства. Динамические токи затвора у мощных ключей могут достигать десятков ампер, что является главной...

Силовые модули в корпусах PrimePACK с повышенной надежностью

Повышение удельной мощности, снижение потерь и увеличение надежности — основные задачи, которые стоят перед разработчиками силовых модулей. Новые модули в корпусах PrimePACK — это результат работы специалистов Fuji Electric над оптимизацией конструкции по механическим, тепловым и электромагнитным параметрам.

Интегральный силовой модуль IGBT для трехуровневых инверторов напряжения с повышенной эффективностью преобразования электроэнергии

В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства.