Влияние качества напайки кристалла на нагрев силового полупроводникового прибора
Проанализированы различные способы контроля температуры нагрева полупроводниковых изделий, в частности кристалла транзисторов Дарлингтона. Показана зависимость температуры нагрева кристаллов от площади непропаев в паяных швах «кристалл-корпус». Дано пошаговое описание методики автоматического подсчета площади непропаев в паяном соединении «кристалл-корпус» по рентгенограммам.