Особенности корпусирования герметичных интегральных схем

Для обеспечения устойчивости к термоциклическим нагрузкам силовые интегральные схемы в металлокерамических и металлостеклянных корпусах герметизируют преимущественно шовно-роликовой сваркой. Основными параметрами, влияющими на герметичность корпуса, являются усилие сжатия свариваемых элементов, амплитуда сварочного тока во вторичной обмотке трансформатора и его длительность. Для повышения стаби...

Повышение надежности микроконтактных соединений радиационно-стойких мощных транзисторов

Предложены и исследованы способы повышения надежности микроконтактных соединений в радиационно-стойких мощных биполярных транзисторах.

Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах

Исследованы причины негерметичности при сборке металлокерамических и металлостеклянных корпусов мощных транзисторов, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.

Сборка и монтаж мощных транзисторов в корпусе SMD-2

Исследованы способы сборки и монтажа мощных транзисторов в корпусах типа SMD, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.

Конструктивно-технологическая оптимизация параметров диодов Шоттки

В статье изложены результаты оптимизации конструктивно-технологических исполнений и параметров быстродействующих диодов Шоттки, обеспечивающие стабильные характеристики качества изделий.

Сборка мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов для поверхностного монтажа

Исследованы способы сборки мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов, предназначенных для поверхностного монтажа электронных модулей силовой электроники.

Конструктивно-технологические особенности MOSFET полевых транзисторов

В статье рассмотрены различные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно-технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. Представленная информация будет полезна специалистам, работ...

Сборка силовых полупроводниковых приборов с бессвинцовой припойной композицией

Для сборки мощных полупроводниковых приборов методами вибрационной пайки и ультразвуковой разварки проволочных выводов предложена бессвинцовая припойная композиция Sn–Ag, формируемая последовательным напылением слоев Sn и Ag с различным соотношением толщин, что позволило варьировать температуру ее плавления в диапазоне от 210 до 300 °С.