MOSFET-модуль на основе SiC заменяет кремниевые IGBT-модули с втрое большим номинальным током в инверторах напряжения
В статье приводится оценка работы в широко распространенных инверторах напряжения (VSI) на обычных частотах серийно выпускаемых модулей на SiC и кремниевых модулей с номинальным напряжением 1200В. На низкой частоте 5кГц SiC-модуль с током 100А способен заменить кремниевый модуль с током как минимум 150А, обеспечив значительное преимущество по рабочим характеристикам и надежности. На частоте 16к...