Микросхемы «Ангстрема» конкурируют с продукцией ведущих мировых компаний

Компания «Ангстрем» успешно завершила экспериментальное исследование динамических параметров новых силовых приборов IGBT и FRD. Тестирование производилось специалистами кафедры промышленной электроники Национального исследовательского университета «МЭИ».

По мнению экспертов, проводивших сравнительное тестирование, «Ангстрем» — единственное предприятие в России, которое провело квалифицированную разработку и способно организовать производство конкурентоспособных кристаллов IGBT и FRD. Это позволит российской компании встать в один ряд с такими крупнейшими мировыми производителями силовых компонентов, как Infineon, STMicroelectronics, International Rectifier, Mitsubishi, Semikron и др.

Результаты исследований показали, что продукция компании «Ангстрем» не только не уступает мировым аналогам, но и по ряду параметров превосходит их. Так, силовые транзисторы, разработанные и произведенные на предприятии «Ангстрем», имеют наименьшее время нарастания тока коллектора и, соответственно, более чем в полтора раза меньшую энергию динамических потерь по сравнению с зарубежными микросхемами. Помимо этого, результаты испытаний показали, что силовые транзисторы «Ангстрема» обладают практически не зависящей от температуры амплитудой остаточного тока и напряжения. Измеренные в лаборатории «МЭИ» динамические параметры диодов компании «Ангстрем» превосходят показатели иностранных аналогов в несколько раз, а полумостовая сборка продемонстрировала устойчивое переключение на индуктивную нагрузку во всех исследуемых режимах.

Рынок и область применения приборов силовой электроники постоянно расширяются, поэтому в настоящее время мировая потребность в IGBT- и FRD-кристаллах для силовых модулей непрерывно растет. Теперь предприятия развивающейся российской электроэнергетики в своих проектах могут использовать мощные модули на основе отечественных кристаллов.