GaN-транзистор L-диапазона с пиковой мощностью 1600 Вт 1011GN-1600VG от Microsemi

icquest_22_10_18

Корпорация Microsemi представила мощный GaN-транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий более 1600 Вт импульсной мощности с усилением свыше 18,6 дБ и КПД более 70%. Он разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.

Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения, чтобы получить самый высокий уровень надежности и отличную механическую прочность. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, выходной мощности может быть достигнут благодаря небольшому посадочному месту компонента и несимметричному корпусу промышленного стандарта Gemini размером 0,4×1,61”.

Основные характеристики транзистора 1011GN-1600VG компании Microsemi:

  • рабочие частоты: 1030/1090 МГц;
  • выходная пиковая мощность: 1600 Вт;
  • параметры импульса: Т = 32 мкс, 2% DC;
  • коэффициент усиления: 18,6 дБ;
  • напряжение питания: 50/52 В;
  • диапазон температуры хранения: –55…+125 °C.

КВЕСТ