GaN-транзистор L-диапазона с пиковой мощностью 1600 Вт 1011GN-1600VG от Microsemi

Корпорация Microsemi представила мощный GaN-транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий свыше 1600 Вт импульсной мощности с усилением более 18,6 дБ и КПД более 70%. Он разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц. Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения с целью добиться самого высокого уровня надежности и отличной механической прочности. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, ...