Силовая электроника №3'2017

Неидентичность

Уразаев Владимир


Совершенствование силовых MOSFET происходит в самых разных направлениях. Мощные MOSFET традиционно изготавливались по планарной технологии. Такая структура получалась последовательным нанесением слоев различных материалов на плоскую поверхность кремниевой подложки. Применение Trench-технологии позволяет создать трехмерную структуру, в которой транзистор формируется в углублении (канавке). Переход к трехмерной структуре позволил получить более высокую плотность размещения элементов и, следовательно, уменьшить массогабаритные характеристики и при этом еще и улучшить характеристики MOSFET.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:|1192189809|1192191149|0|1|1|1
Хорошо|417|blue
Нормально|263|grey
Плохо|182|red