В следующем номере

Выбор быстродействующего силового предохранителя для высоковольтных приложений

Современное силовое и энергетическое оборудование является важной частью производственной и...

Реклама

Реклама

Подписка на новости

Видео

31.03.2021 Драйверы для управления транзисторами

Реклама

  • ЭкспоЭлектроника-2022
  • Power Electronics-2021

Все статьи

Регламентированные методы проверки РЭА на воздействие изменений значений параметров качества электроэнергии
Данная публикация является продолжением статьи с аналогичным названием, напечатанной в журнале «Силовая электроника» №5 за 2019 год, в которой проведен анализ методов проверки РЭА на воздействие изменений значений параметров качества электроэнергии (ПКЭ), рекомендованных в [1]. Там же выражено отношение авторов статьи к большинству этих рекомендаций с точки зрения их реализации, а также рассмот...

25.10.2021 | Качество электроэнергии
Оставить комментарий

ШКОЛА MATLAB. Урок 32. Многовариантный модельный анализ асинхронного электропривода с прямым управлением моментом
В продолжение материалов урока 21 [4] представлены результаты модельного исследования асинхронного электропривода с прямым управлением моментом (DTC-direct torque control). Несмотря на длительную историю своего непрерывного развития, метод прямого управления моментом еще не нашел широкого распространения в учебных программах технических университетов. В частности, до сих пор в литературе отсутс...

22.10.2021 | Софт
Метки:
Оставить комментарий

Интеграция GaN в LYTSwitch-6 — путь к повышению эффективности
В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных квазирезонансных контроллеров семейства LYTSwitch, объединяющих первичную и вторичную стороны, а также цепь регулирующей обратной связи, в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы потребляют в режиме покоя всего 30 мВт мощности и обеспечивают свободное от мерцаний свечени...

21.10.2021 | Разработка, Источники питания, GaN
Метки:
Оставить комментарий

IGBT Gen.7 — революционная эволюция
Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

20.10.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

19.10.2021 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, MOSFET, SiC
Метки: ,
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний? Тенденции развития и проблемы применения SiC в приложениях. Часть 1
Эта публикация открывает цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения (Впервые цикл опубликован в Power Systems Design и...

18.10.2021 | Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 2: питание КА, практические решения
В предлагаемой статье речь идет о нередко забываемой или малозаметной части космического аппарата (КА), позволяющей ему путешествовать в космосе, а именно об управлении электропитанием и роли в этом современных полупроводниковых приборов, созданных на основе нитрида галлия (GaN). Данная публикация является продолжением [1] и приводится в виде авторского перевода [2], выполненного с рядом дополн...

15.10.2021 | Источники питания, GaN
Метки:
Оставить комментарий

Силовые блоки на основе тиристоров и фототиристоров для промышленных применений
В статье представлены последние результаты разработок в области силовых блоков на основе отечественных биполярных полупроводниковых приборов. Рассмотрены примеры конструирования блоков выпрямителей и ключей переменного тока большой мощности, ориентированных на требования потребителей.

14.10.2021 | Компоненты силовой электроники, Тиристоры
Метки:
Оставить комментарий

Новое поколение силовых модулей IGBT
Компания Dynex Semiconductor не является гигантом электронной отрасли и не может похвастаться многомиллиардными доходами. Впрочем, продукция производителя из английской глубинки хорошо известна во всем мире и широко используется лидерами современной промышленности.

13.10.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

«Мини-лаборатория» для каждого студента.
Компактные многофункциональные станции «Профи»
В статье рассматривается современное оборудование одного из ведущих российских производителей учебной техники — научно-производственного предприятия «Учебная техника-Профи», предназначенное для обучения студентов электротехнических специальностей вузов и техникумов. Приводится описание самих лабораторных стендов, их функциональных возможностей и примеры готовых лабораторий.

12.10.2021 | Обучение
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2021 Силовая электроника