Силовая электроника №2'2010

Журнал Силовая Электроника №2 за 2010 г.
Компоненты силовой электроники

Интеллектуальный электронный балласт комбинированного светотехнического прибора

В статье представлены результаты работы по созданию интеллектуального электронного балласта для комбинированного уличного светильника, включающего металлогалогенную лампу и светодиодные модули. Рассмотрена структура силовой части балласта и микропроцессорного модуля, обеспечивающего управление силовыми транзисторами, диагностику светильника, а также связь с центральным диспетчером и соседними балластами при помощи радиомодуля XBee Pro. Приведены электрические параметры балластов, а также осциллограммы токов и напряжений по светодиодному и ламповому каналам.

Специализированные модули для 3-уровневых инверторов

Массовое использование возобновляемых источников энергии является одной из основных тенденций современности. Совершенствование ветроэнергетических установок (ВЭУ), появившихся более 20 лет назад, идет параллельно с повышением эффективности и надежности преобразовательных устройств. Бурное развитие силовой электроники позволило существенно повысить мощность таких устройств (для единичной ВЭУ с 2 до 3 МВт, активно идет разработка установок, рассчитанных на 5 МВт) и, соответственно, снизить удельную стоимость вырабатываемой энергии.

Применение интегральных силовых модулей DIP-IPM серий Ver. 3, Ver. 3,5 фирмы Mitsubishi Electric

В предыдущей статье были рассмотрены номенклатура и основные параметры интегральных силовых модулей серий Ver. 3, Ver. 3,5, Ver. 4, 1200 В фирмы Mitsubishi Electric. Номенклатура модулей в каталогах фирмы 2010 г. не претерпела существенных изменений. Предметом рассмотрения настоящей статьи являются особенности применения интегральных модулей третьей серии, руководство по применению которых было выпущено фирмой в конце 2009 г.

Силовые сборки фирмы Infineon

За последние годы среди разработчиков устройств силовой электроники стали очень популярными силовые сборки — интегрированные системные решения от производителей силовых полупроводниковых приборов (далее — п/п приборы) на основе собственной силовой элементной базы. В данной статье рассказывается о семействе силовых сборок PrimeSTACK.

Использование встроенного NTC-резистора для измерения температуры IGBT-модулей

В статье описаны особенности использования встроенного в силовой модуль терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC-резистора) для измерения температуры; рассмотрены аспекты изоляции измерительной цепи от высокого напряжения, связь сопротивления NTC с температурой перехода кристаллов IGBT; приведены примеры практической реализации схемы измерений.

Тепловой расчет СИТ-транзисторов и узлов силовых модулей с их применением. Часть 1

В настоящей работе приведены результаты расчетов и исследований мощных ключевых транзисторных сборок, составляющих основу силовых модулей, выполненных с использованием СИТ с модулируемой проводимостью канала. Произведен расчет теплового сопротивления и допустимой максимальной рассеиваемой мощности проектируемых приборов. Сравниваются расчетные и экспериментальные данные.

Новые отечественные высоковольтные p-i-n GaAs-диоды

В статье сделан обзор новых отечественных высоковольтных p-i-n GaAs-диодов. Поднимаются вопросы введения инноваций в энергетике в России, снижения потерь электроэнергии.

Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 3

Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.

Повышение эффективности электротехнических устройств как аспект стратегии энергосбережения

В статье рассматриваются вопросы повышения эффективности электротехнических устройств как аспекта стратегии энергосбережения. Рассматриваются разработки и вопросы внедрения устройств полупроводниковых преобразователей с применением схем активной коррекции коэффициента мощности.

Источники питания

Особенности построения систем аварийной защиты тиристорных преобразователей частоты с автономными резонансными инверторами. Часть 2

В статье рассказывается о классификационных группах схем автономных резонансных инверторов (АИР) с удвоением частоты, встречными диодами, закрытым и открытым входами, широко используемых для электротехнологических установок (ЭТУ). Рассматриваются особенности протекания аварийного процесса при срыве инвертирования в различных схемах АИР с открытым входом и ограничением аварийного разрядного тока конденсатора фильтра. Приводятся результаты моделирования в среде MATLAB с помощью инструментов пакета Simulink аварийного процесса срыва инвертирования в тиристорных преобразователях частоты (ТПЧ) с различными схемами АИР с удвоением частоты, встречными диодами и открытым входом.

Недорогие источники питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды

Широко известно, что разработка источника питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды — весьма непростая задача. Источник питания должен работать в условиях высокой температуры и повышенной влажности, соответствовать стандартам ЭМИ и безопасности, а также строгим стандартам энергосбережения.

Оборудование

Микропроцессорные программируемые системы управления для сварочных машин группы А

Современные требования к качеству сварных соединений для изделий металлургической, авиационной, автомобильной и других высокотехнологичных отраслей промышленности, кроме обязательной аттестации персонала, оборудования и приборов, включают, как правило, еще и требования по обязательному контролю, диагностике и визуализации состояния оборудования и технологических параметров во время выполнения сварочного процесса. В статье рассмотрено оборудование для решения указанных задач в сварочных машинах группы А.

Системы охлаждения

Теплопередача при принудительном охлаждении (на примере наборных охладителей, основания и ребра которых изготовлены из разных металлов)

В статье приводятся результаты анализа эффективности четырех комбинаций охладителей при работе в принудительном режиме. Расчеты проведены для алюминиевого (AlB-AlF) и медного (CuB-CuF) охладителей, а также охладителей с медным основанием и алюминиевыми ребрами (CuB-AlF), алюминиевым основанием и медными ребрами (AlB-CuF).

Электромагнитная совместимость

Электроэнергетическая и электромагнитная совместимость вторичных источников импульсного питания с автономными системами электроснабжения переменного тока. Часть IV. Модернизация известных и разработка новых схемотехнических средств

Статья продолжает цикл работ, посвященных выбору способов и схемотехнических решений, обеспечивающих сохранение качества электроэнергии питающей сети и допустимого уровня генерируемых электромагнитных помех при работе вторичных источников импульсного питания (ВИИП) с емкостным накопителем в составе автономных систем (АСЭС), в частности транспортных. В данной части описана модернизация известных и разработка новых схемотехнических средств.

Качество электроэнергии

Комбинированный способ снижения неравномерности электрического поля в муфтах силовых кабелей

Проектирование и производство конкурентоспособной кабельной арматуры требует решения вопроса о снижении неравномерности распределения электрического поля в муфтах силовых кабелей. Это решение должно соответствовать современному уровню развития технологической базы в части разработки и производства различных полупроводящих компаундов. Для выбора определенных физических характеристик материалов необходимо математическое моделирование электрического поля с применением специализированных пакетов прикладных программ. Оптимальным вариантом является использование комплекса программ для моделирования электромагнитных, тепловых и механических задач ELCUT.

САПР

Моделирование тепловых режимов работы аппаратуры силовой электроники в среде SolidWorks Flow Simulation

В статье рассматриваются методы моделирования тепловых режимов работы компонентов силовой электроники в среде SolidWorks Flow Simulation, приводятся примеры расчетов.

Школа MATLAB. Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде МATLAB-Simulink. Урок 12. Исследование импульсного повышающего регулятора постоянного напряжения

Данная статья продолжает цикл публикаций в разделе «Школа МATLAB» — «Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде МATLAB–Simulink». На сегодняшнем уроке мы исследуем повышающий импульсный регулятор постоянного напряжения. Содержание работы и методика ее проведения аналогичны тем, которые использовались в предыдущем уроке. Результаты моделирования представлены с помощью программных и инструментальных средств МATLAB. Для создания виртуальной лаборатории используются блоки библиотек Simulink и SimPowerSystems.

Моделирование индуктивностей с порошковыми сердечниками при помощи симулятора LTspice

В данной статье рассматриваются возможности симулятора LTspice, позволяющего моделировать нелинейную индуктивность двумя способами.

Технологии

Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах

Исследованы причины негерметичности при сборке металлокерамических и металлостеклянных корпусов мощных транзисторов, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.

Некоторые методы повышения качества и надежности ультразвуковой сварки

В последние годы достигнуты большие успехи в области производства и применения полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных схем. Их характеристики зависят не только от используемых исходных материалов, но и от совершенства технологий, применяемых на различных этапах их изготовления. Надежность выпускаемых устройств напрямую зависит от качества электрических соединений между различными элементами. Ультразвуковая сварка (УЗС) проволочных выводов является одним из наиболее широко применяемых способов создания неразъемных соединений между различными элементами, в частности, присоединения полупроводникового кристалла с функциональными элементами к корпусу прибора, а также металлических выводов к тонкопленочным контактным площадкам планарной стороны кристалла и внешним выводам корпуса.

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо