07.09.2018

Новая серия IGBT-транзисторов 650 В в корпусе D2PAK от Infineon Technologies

infineon_07_09_18

Компания Infineon Technologies AG расширяет линейку IGBT-транзисторов, выполненных по TRENCHSTOP5-технологии на основе тонких подложек кремния. Новое семейство содержит транзисторы с рабочим напряжением 650 В и током до 40 А, совмещенные с диодом на 40 А в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-3, также известном как D2PAK. Эти устройства отвечают возрастающему спросу на большую плотность мощности в силовых компонентах для автоматизированного монтажа на поверхность.

Области применения:

  • инверторы для солнечной энергетики;
  • бесперебойные источники питания (UPS);
  • зарядные устройства;
  • накопители энергии.

Технология ультратонких кремниевых пластин TRENCHSTOP 5 компании Infineon позволяет добиться большей плотности мощности на кристалле меньших размеров. Таким образом, Infineon впервые объединил IGBT-транзистор на 650 В и 40 А с диодом 40 А в корпусе D2PAK. По сравнению с конкурентными транзисторами с встроенным диодом в корпусе D2PAK, новое семейство предлагает на 25% большую мощность.

Высокая плотность мощности новых транзисторов позволяет разработчикам усовершенствовать существующие системы, проектировать новые платформы с КПД на 25% выше или сократить количество силовых устройств, используемых параллельно, создавая таким образом более компактные решения. Уникальная компоновка транзистора и диода на 40 А в корпусе D2PAK может быть использована как альтернатива корпусу D3PAK или TO-247, применяемому для поверхностного монтажа. Это позволяет упростить пайку, что в свою очередь ускоряет сборку и делает ее более надежной.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:|1192189809|1192191149|0|1|1|1
Хорошо|417|blue
Нормально|263|grey
Плохо|182|red