14.09.2018

GaN-транзистор L-диапазона с пиковой мощностью 1600 Вт 1011GN-1600VG от Microsemi

icquest_14_09_18

Корпорация Microsemi представила мощный GaN-транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий свыше 1600 Вт импульсной мощности с усилением более 18,6 дБ и КПД более 70%. Он разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.

Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения с целью добиться самого высокого уровня надежности и отличной механической прочности. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, выходной мощности может быть получен благодаря небольшому посадочному месту компонента и несимметричному корпусу промышленного стандарта Gemini размером 0,4×1,61”.

Основные характеристики транзистора 1011GN-1600VG компании Microsemi:

  • рабочие частоты: 1030/1090 МГц;
  • выходная пиковая мощность: 1600 Вт;
  • параметры импульса: Т = 32 мкс, 2% DC;
  • коэффициент усиления: 18,6 дБ;
  • напряжение питания: 50/52 В;
  • диапазон температуры хранения: –55…+125 °C.

КВЕСТ



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:|1192189809|1192191149|0|1|1|1
Хорошо|417|blue
Нормально|263|grey
Плохо|182|red