Новые RC IGBT 3-го поколения от Infineon Technologies

Компания Infineon расширяет линейку 3-го поколения IGBT с обратной проводимостью (RC) и мягким переключением: добавлены транзисторы с рабочими напряжениями 1200 и 1350 В и рабочими токами 30 и 40 А.

В новых транзисторах потери при переключении на 20% меньше, что обеспечивает уменьшение температуры корпуса на 5К по сравнению со вторым поколением RC IGBT . Снижение потерь при переключении уменьшают тепловую нагрузку на устройство, что увеличивает срок службы и надежность системы.

Компоненты с рабочими токами 30 и 40 А с напряжением 1350 В рассчитаны на разработчиков, которым требуются большие значения рабочего напряжения и тока, что позволяет разрабатывать более инверторы с «однотранзисторной» топологией (single-end) мощностью до 3,6 кВт.

Кроме того, эти транзисторы, имея расширенную область безопасной работы SOA (Safe Operating Area), увеличивают допустимый диапазон токов и напряжений в переходных режимах, что позволяет увеличить надежность и прочность устройств.

Особенности устройств:

• лучшие в своем классе характеристики проводимости V CE(sat) и Vf;
• cамые низкие потери при переключении;
• высокий КПД;
• T j(max) = +175 °C;
• плавные формы кривых тока и напряжения при выключении, низкий уровень электромагнитных излучений;
• более высокое напряжение пробоя V BR(min) = 1350 В.

Преимущества:

• низкая рассеиваемая мощность;
• yлучшенный тепловой режим;
• меньшая стоимость всей системы;
• увеличенная прочность и надежность.

Основными областями применения новых RC IGBT являются:

• кухонные индукционные плиты,
• микроволновые печи,
• кастрюли для варки риса,
• инверторы для солнечных панелей,
• конвертеры с мягким переключением.