06.11.2012

Новые RC IGBT 3-го поколения от Infineon Technologies

Компания Infineon расширяет линейку 3-го поколения IGBT с обратной проводимостью (RC) и мягким переключением: добавлены транзисторы с рабочими напряжениями 1200 и 1350 В и рабочими токами 30 и 40 А.

Новые RC IGBT 3-го поколения от Infineon Technologies

В новых транзисторах потери при переключении на 20% меньше, что обеспечивает уменьшение температуры корпуса на 5К по сравнению со вторым поколением RC IGBT . Снижение потерь при переключении уменьшают тепловую нагрузку на устройство, что увеличивает срок службы и надежность системы.

Компоненты с рабочими токами 30 и 40 А с напряжением 1350 В рассчитаны на разработчиков, которым требуются большие значения рабочего напряжения и тока, что позволяет разрабатывать более инверторы с «однотранзисторной» топологией (single-end) мощностью до 3,6 кВт.

Кроме того, эти транзисторы, имея расширенную область безопасной работы SOA (Safe Operating Area), увеличивают допустимый диапазон токов и напряжений в переходных режимах, что позволяет увеличить надежность и прочность устройств.

Особенности устройств:

  • лучшие в своем классе характеристики проводимости V CE(sat) и Vf;
  • cамые низкие потери при переключении;
  • высокий КПД;
  • T j(max) = +175 °C;
  • плавные формы кривых тока и напряжения при выключении, низкий уровень электромагнитных излучений;
  • более высокое напряжение пробоя V BR(min) = 1350 В.

Преимущества:

  • низкая рассеиваемая мощность;
  • yлучшенный тепловой режим;
  • меньшая стоимость всей системы;
  • увеличенная прочность и надежность.

Основными областями применения новых RC IGBT являются:

  • кухонные индукционные плиты,
  • микроволновые печи,
  • кастрюли для варки риса,
  • инверторы для солнечных панелей,
  • конвертеры с мягким переключением.

ЭФО



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо