10.05.2012

Сверхбыстрые 1200-В IGBT седьмого поколения от International Rectifier

В конце 2011 г. компания International Rectifier выпустила на мировой рынок новую линейку надежных и эффективных IGBT на 1200 В, предназначенных для широкого круга приложений: индукционных нагревателей, сварочных аппаратов, высокомощных выпрямителей, бесперебойных источников питания, солнечных батарей и др.

Сверхбыстрые 1200-В IGBT седьмого поколения от International Rectifier

При производстве данных IGBT используется технология Field-Stop Trench (FS Trench), которая позволяет добиться значительного уменьшения потерь на переключение и проводимость и тем самым получить более высокую плотность мощности и более высокий КПД при работе на высоких частотах. Новая серия дополняет уже существующую линейку IGBT cо стойкостью к воздействию короткого замыкания 10 мкс.

Помимо вышеперечисленных преимуществ, применение новых IGBT позволяет уменьшить размеры радиатора, сократить число внешних компонентов, а также понизить конечную стоимость разрабатываемого изделия. Диапазон токов у новой линейки IGBT для корпусированных приборов составляет 20–50 А, для кристаллов — до 150 А. Основными преимуществами новых IGBT являются: большая квадратная область безопасной работы (RBSOA); положительный температурный коэффициент; низкое значение Vce(on) для уменьшения рассеиваемой мощности и получения высокой плотности мощности.

В новой линейке транзисторы IRG7PH35UD1 и IRG7PH42UD1 обладают устойчивостью к повторяющимся пиковым броскам напряжения до 1300 В.

Доступны IGBT как со встроенным диодом с малым временем обратного восстановления, так и без него. Кристаллы также доступны с паяемым металлическим покрытием на передней стороне (покрытие позволяет производить корпусирование без использования проволочных соединений) для улучшения тепловых характеристик (возможность двустороннего охлаждения), повышения надежности и эффективности.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо