22.12.2016

МОП-транзисторы на 60 В со сверхнизким RDS(ON) и выходным зарядом в корпусе для поверхностного монтажа от Toshiba

Toshiba_22_12_16

Компания Toshiba Electronics Europe продолжает расширять серию компактных высокоэффективных быстродействующих МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым VDSS 60 В и максимальным током стока 100 А.

TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), которое составляет всего 1 мОм (при VGS = 10 В). Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной емкости/выходного заряда, типовое значение QOSS достигает лишь 77,5 нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.

Как и другие устройства серии U-MOS IX-H, МОП-транзисторы TPH1R306PL предназначены для применения в преобразователях постоянного тока и цепях вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный. Выбирая эти МОП-транзисторы, проектировщики указанных устройств имеют возможность значительно повысить их эффективность, поскольку QOSS — одна из причин возникновения потерь мощности при синхронном выпрямлении.

Благодаря высокому допустимому импульсному току (Idp) до 500 А и более высокой максимальной температуре канала, составляющей +175 °C, новые МОП-транзисторы также могут использоваться для управления электродвигателями в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах. Для применений, требующих еще более эффективного рассеяния тепла, доступна версия с двусторонним охлаждением — TPW1R306PL.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо