14.10.2013

Миниатюрные транзисторы МОП 600 В SuperJunction Power MOSFET от Toshiba

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о том, что технология транзисторов МОП нового поколения SuperJunction (SJ) DTMOS-IV Power MOSFET впервые доступна в низкопрофильном корпусе с малым контуром DFN. Новые транзисторы МОП 600 В DTMOS-IV MOSFET в корпусе DFN оптимально подходят для использования в высокоскоростных переключателях источников питания, дросселях освещения и других областях, требующих компактной альтернативы более распространенным устройствам D2PAK и DPAK.

При номинальных значениях тока от 9,7 до более чем 30 А новые устройства семейства TKxV60W транзисторов МОП 600 В MOSFET обладают сверхнизкими номинальными значениями сопротивления открытого канала (RDS(ON)): от 0,38 до 0,098 Ом. Лидирующие значения RDS(ON)*Qg обеспечивают высокую эффективность переключения, а низкая выходная емкость (Coss) позволяет оптимизировать работу при малых нагрузках. Каждое устройство также снабжено дополнительным считывающим штифтом для прямого подключения к драйверу.

Разработанный компанией Toshiba процесс DTMOS-IV позволяет создать транзисторы МОП MOSFET с температурным коэффициентом RDS(ON), превосходящим характеристики альтернативных устройств. Благодаря этому можно использовать преимущества повышенной эффективности даже при высокой температуре. Подобно другим устройствам семейства Toshiba DTMOS-IV, новые транзисторы МОП DFN MOSFET обладают оптимизированной емкостью затвор-сток (Cgd), которая обеспечивает улучшенное управление переключением dv/dt. Поддержка более низких номинальных значений dv/dt также помогает уменьшить вероятность зацикливания в схемах быстродействующих переключателей.

При размере 8×8 мм корпус DFN имеет контур, который на 20% меньше контура корпуса D2PAK. Профиль размером всего 0,85 мм почти в три раза меньше профиля традиционного устройства DPAK и более чем в пять раз меньше профиля устройства D2PAK.

В четвертом поколении транзисторов МОП с одним эпитаксиальным слоем Toshiba DTMOS-IV SuperJunction MOSFET используется процесс с глубокими канавками. Это позволяет уменьшить шаг канавок в сравнении с процессом третьего поколения (с несколькими эпитаксиальными слоями) и на 30% улучшить сопротивление в открытом состоянии для соответствующего места присоединения.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо