Рады сообщить вам, что вышел новый номер журнала
"Силовая электроника" №1 за 2017 г.

новый номер журнала №1 за 2017г.

В новом номере:

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановление, генерация электромагнитных шумов, переход транзистора в реверсивный режим. Одним из наиболее интересных и малоизученных феноменов является аномальное поведение диодов при малом времени коммутации тока.

Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC

Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как частота работы увеличена, масса и габариты пассивных компонентов (индуктивности, конденсаторы) могут быть снижены. Поэтому, даже будучи более дорогим решением, SiC-компоненты все чаще встречаются на рынке силовой электроники.

Проектирование недорогих многовыходных DC/DC-преобразователей — стабилизаторов напряжения. Часть 1

Использование 1:1 магнитосвязанных индуктивностей совместно с понижающими DC/DC-преобразователями.

Опыт разработки и внедрения динамического тиристорного компенсатора реактивной мощности на сталеплавильных печах

В статье описаны результаты разработки высокодинамичного компенсатора реактивной мощности с применением фильтрокомпенсирующих цепей и отечественных тиристорных блоков. Показано, что выбранная структура, технические решения и алгоритмы позволили добиться сокращения времени плавки и значительного экономического эффекта.

Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям

В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT - модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику переключения, что значительно облегчило управление модулем со стороны затвора. Новый модуль при экспериментальной проверке продемонстрировал при включении снижение на 25% скорости нарастания dV/dt при тех же самых потерях, как и у прототипа такого модуля с пазовым затвором, но по технологии trench HiGT. Кроме того, подтверждено снижение скорости dV/dt и при выключении транзистора, достаточно широкая область безопасной работы SOA (Safety Operation Area) и устойчивость к коротким замыканиям третьего типа.

И многое другое ...

Полное содержание номера.


Следующий номер журнала выйдет 17 апреля 2017 года. Следите за анонсами!



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо