29.09.2017

IGBT-модуль в стандартном конструктиве Prime Pack с медной базовой платой и винтовыми терминалами от SEMIKRON

SEMIKRON_30_09_17

Компания SEMIKRON представляет SEMITRANS 10 DPD — IGBT-модуль в стандартном конструктиве Prime Pack с медной базовой платой и винтовыми терминалами. Номинальное значение выходного тока повышено до 1800 A за счет использования новейшей DPD технологии (Direct Pressed Die). Улучшенные динамические характеристики и малый уровень потерь в сочетании с низким тепловым сопротивлением Rth позволили увеличить выходную мощность на 30% относительно стандартного конструктива с паяным соединением кристаллов при Tjop менее +150 °C. Уникальная концепция шинных соединений DPD позволяет существенно повысить мощность преобразователя без переделки конструкции и увеличения эффективности системы охлаждения.

Новые модули SEMITRANS 10 DPD предназначены для широкого диапазона применений, где предъявляются повышенные требования к надежности, — альтернативная энергетика, промышленные приводы, электротранспорт.

Модули SEMITRANS 10 DPD с рабочим напряжением 1700 В и номинальным током 1800 А будут выпускаться в полумостовой конфигурации в стандартном конструктиве Prime Pack.

Особенности и преимущества SEMITRANS 10 DPD:

  • Надежный стандартный промышленный конструктив.
  • Технология монтажа кристаллов Direct Pressed Die (DPD).
  • Оптимизированная низкоиндуктивная конструкция промежуточных соединений для снижения уровня перенапряжений.
  • Улучшенные динамические характеристики.
  • Повышенная выходная мощность, хорошее выравнивание токов при параллельном соединении.

Модули SEMITRANS 10 DPD, управляемые от драйвера SKYPER Prime оптимизированы для параллельного включения:

  • цифровая обработка сигнала SKYPER Prime обеспечивает высокую стабильность динамических характеристики в широком диапазоне температур в течение всего срока службы;
  • стабильный уровень напряжения управления для симметричного распределения тока;
  • прямое параллельное соединение сигналов ошибки и управления, выходных сигналов датчиков;
  • симметричное управление затворами при использовании концепции «индивидуального» управления;
  • простой способ соединения параллельных каналов board-to-board.
  • Уникальная концепция подключения кристаллов
    • низкое тепловое сопротивление Rth за счет использования технологии DPD t;
    • стойкость к термоциклированию повышена примерно в 10 раз благодаря замене сварных соединений Al-проводников на шинную архитектуру.
  • Повышение выходной мощности:
    • выходная мощность повышена на 30% по сравнению с показателями аналогичного модуля с такими же кристаллами и аналогичной интенсивностью охлаждения;
    • оптимизированы динамические характеристики за счет снижения паразитной индуктивности внутренних сигнальных и силовых соединений.


 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо