11.09.2015

Новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния

Корпорация Microsemi представила новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi и позволяет разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.

Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:

  • лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
  • ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
  • повышенная максимальная частота переключения.

Новый модуль APTSM120AM14CD3AG представляет собой транзисторную сборку в конфигурации «полумост», рассчитанный на рабочее напряжение 1200 В и ток 180 А, обладает великолепными частотными характеристиками и минимальными потерями, что позволяет обеспечить ток 40 А при частоте 400 кГц в режиме жесткого переключения.

Технические характеристики:

  • Тип корпуса: D3.
  • Напряжение (Vdss): 1200 В.
  • Rds(on): 14 мОм.
  • Id: 180 А.

Новый силовой модуль найдет свое применение в таких областях, как сварочные аппараты, индукционный нагрев, источники бесперебойного питания и импульсные источники питания.

PT Electronics



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо