12.05.2012

Новые MOSFET CoolMOS CE с рабочим напряжением 500 В

Компания Infineon Technologies представляет новую серию транзисторов CoolMOS CE, основанных на принципе суперперехода (Superjunction), с рабочим напряжением 500 В.

Новые MOSFET CoolMOS CE с рабочим напряжением 500 В

Это отличная альтернатива стандартным MOSFET при создании источников питания для приложений, критичных к стоимости, — бытовая техника, приставки для персональных компьютеров и импульсные источники питания для освещения. Новые транзисторы сочетают в себе все преимущества современных MOSFET:

  • высокое качество и надежность технологии CoolMOS;
  • низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on));
  • низкие потери при коммутации;
  • низкая накопленная энергия в выходной емкости;
  • высокая надежность встроенного диода;
  • низкий заряд затвора.

Доступны образцы с сопротивлением RDS(on) 280 и 500 мОм в корпусе TO-220, а также с RDS(on) 280, 500 и 950 мОм в корпусах DPAK и TO-220 FullPAK.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо