22.12.2009

Новые высоковольтные транзисторы от IXYS

Корпорация IXYS объявила о расширении семейства транзисторов BiMOSFET за счет выпуска новых высоковольтных продуктов. Эти уникальные компоненты призваны увеличить эффективность и надежность высоковольтной аппаратуры с большим током коммутации в промышленном и медицинском оборудовании.

Высоковольтные HV BiMOSFET транзисторы имеют блокирующие напряжение до 3 кВ с током коллектора до 130 А и быстродействующий встроенный диод. Новое семейство может найти применение в коммутаторах переменного напряжения, выключателях, импульсных модуляторах для радаров, импульсных источниках питания, схемах заряда конденсаторов, а также генераторах лазеров и рентгеновского излучения.

Благодаря положительным температурным коэффициентам прямого падения напряжения Vce(sat) в транзисторе и прямого падения напряжения на диоде новые HV BiMOSFET можно подключать параллельно. Более того, благодаря высокой устойчивости к di/dt встроенный диод может быть эффективно использован при работе на индуктивную нагрузку во время закрытия транзистора.

HV BiMOSFET доступны в различных стандартных промышленных корпусах, включая TO-268, TO-247, TO-264 и PLUS247. Новые продукты выпускаются также в изолированных корпусах семейства ISOPLUS компании IXYS с напряжением изоляции до 3000 В, которые обеспечивают превосходные тепловые характеристики.

Некоторые представители нового семейства: IXBH2N250, IXBK64N250, IXBF20N300, IXBH32N300, IXBX55N300.

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо