15.12.2011

Новый Z-FET карбидокремниевый MOSFET от Cree

Компания Cree расширила номенклатуру продукции первым промышленным семейством Z-FET слаботочных 1200-В SiC MOSFET. Новые транзисторы дополняют линейку существующих SiC MOSFET 12-го класса и отличаются меньшим диапазоном токов. Это позволяет расширить область применений устройств при снижении цены и обеспечить таким образом оптимизацию стоимости системы.

Новые приборы разработаны для замены кремниевых IGBT, которые используются в настоящее время для производства инверторов мощностью 3–10 кВт. Возможные применения — высоковольтные источники питания и вспомогательные силовые устройства, предназначенные, в основном, для преобразования трехфазного входного сигнала, инверторы солнечных батарей, промышленные привода, и корректоры коэффициента мощности (PFC).

Новый SiC MOSFET CMF10120D от Cree с номинальным током 12 A при температуре +100 °C и рабочим напряжением 1200 В имеет типовое сопротивление открытого канала (RDS(ON)) 160 мОм при +25 °C. В отличие от аналогичных кремниевых приборов значение RDS(ON) для SiC MOSFET не превышает 200 мОм во всем диапазоне рабочих температур. Это позволяет снизить динамические потери до 50%, что увеличивает общую эффективность работы системы до 2% при двух- и трехкратном увеличении рабочих частот, по сравнению с лучшими IGBT. В результате повышения КПД SiC-приборы имеют меньший уровень перегрева, что дает возможность снизить требования к системе охлаждения. В сочетании со сверхнизким током утечки (< 1мкА) это обеспечивает улучшение массогабаритных показателей системы и повышение ее надежности.

Транзистор CMF10120D выпускается в стандартном корпусе TO-247.



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо