200 страниц найдено для "mosfet".

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

Мощные импульсные стабилизаторы в миниатюрном корпусе
Компания Analog Devices предлагает две новых микросхемы — ADP2302 и ADP2303. Это мощные понижающие стабилизаторы с входным диапазоном напряжений от 3 до 20 В и постоянной рабочей частотой. В новых ...
http://power-e.ru/eltech_20_08_2010.php - 1614  симв.

Сборка мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов для поверхностного монтажа
Владимир Ланин Анатолий Керенцев Варианты технологий поверхностного монтажа В настоящее время поверхностный монтаж электронных компонентов на платы — одно из перспективных направлений ...
http://power-e.ru/2009_3_76.php - 21432  симв.

Независимые инверторы напряжения с квазирезонансной коммутацией для высокочастотных применений
Евгений Силкин Высокочастотные применения (различные электротехнологии, устройства электропитания для систем промышленной автоматики и средств телекоммуникаций) представляют ...
http://power-e.ru/2009_3_56.php - 27810  симв.

Проектирование пятизвездных зарядно-питающих устройств для портативных приборов
Сильвестро Фимиани Геннадий Бандура Сейчас на рынке электроники стремительно растет число бытовых и промышленных портативных устройств (ПУ): мобильных телефонов, карманных ПК, ...
http://power-e.ru/2009_3_54.php - 8266  симв.

Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов
Александр Гордеев Валерий Чукин Юрий Обмайкин Геннадий Кирсанов Павел Машевич Алексей Алферов Татьяна Крицкая ВОАО «Ангстрем» создана серия DMOSFET-кристаллов с проектными нормами ...
http://power-e.ru/2009_3_20.php - 14375  симв.

Монтаж кристаллов IGBT силовых транзисторов
Владимир Ланин Леонид Ануфриев Особенности IGBT-транзисторов В современных условиях наиболее качественное преобразование электроэнергии при максимальной компактности и надежности ...
http://power-e.ru/2009_2_94.php - 39431  симв.

Балласт для твердотельных светодиодных осветителей
Сильвестро Фимиани Геннадий Бандура аряду с малым энергопотреблением, свето-диоды обладают большей долговечностью, низкими затратами на эксплуатацию и совершенно не содержат опасных ...
http://power-e.ru/2009_2_82.php - 8377  симв.

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS
Абдус Саттар Иван Полянский Введение Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень ...
http://power-e.ru/2009_2_38.php - 20378  симв.

Микросхемы Primarion для цифрового управления мощностью
Анатолий Бербенец икросхемы для цифрового управления мощностью (ЦУМ) — быстрорастущий рынок полупроводниковых компонентов для источников питания. Они вытесняют традиционные аналоговые ...
http://power-e.ru/2009_2_32.php - 13860  симв.

Способ контроля одностороннего подмагничивания трансформатора преобразователя напряжения
Валентин Володин Выходной ток однотактного преобразователя, кроме переменной составляющей, содержит значительную постоянную составляющую, которая вызывает магнитный поток подмагничивания в ...
http://power-e.ru/2009_2_22.php - 23543  симв.

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо