200 страниц найдено для "mosfet".

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

Микросхемы Primarion для цифрового управления мощностью
Анатолий Бербенец икросхемы для цифрового управления мощностью (ЦУМ) — быстрорастущий рынок полупроводниковых компонентов для источников питания. Они вытесняют традиционные аналоговые ...
http://power-e.ru/2009_2_32.php - 13860  симв.

Способ контроля одностороннего подмагничивания трансформатора преобразователя напряжения
Валентин Володин Выходной ток однотактного преобразователя, кроме переменной составляющей, содержит значительную постоянную составляющую, которая вызывает магнитный поток подмагничивания в ...
http://power-e.ru/2009_2_22.php - 23543  симв.

Цифровое управление преобразованием напряжения — это уже реальность
Виктор Жданкин Цифровые технологии в силовых преобразователях Интегральные микросхемы для реализации цифрового управления преобразованием напряжения выпускают многие компании: Atmel ...
http://power-e.ru/2009_1_28.php - 30002  симв.

Расчет и схемотехника повышающих DC/DC преобразователей напряжения высокой мощности
Виктор Хасиев Алексей Кулаков Введение Повышающие преобразователи высокой мощности находят широкое применение в автомобильной, индустриальной и телекоммуникационных отраслях. При ...
http://power-e.ru/2008_4_36.php - 13223  симв.

Некоторые методы уменьшения габаритов и повышения эффективности источников питания AC/DC
Виктор Жданкин В настоящее время усовершенствования в конструкции преобразователей переменного напряжения в постоянное (АC/DC) являются скорее эволюционными, чем революционными. Удобно ...
http://power-e.ru/2008_4_32.php - 20378  симв.

Силовые модули Mini-IPM — интеллект и компактность
Андрей Колпаков Введение Термином «интеллектуальный силовой модуль» (или IPM) в электронике обозначают устройство высокой степени интеграции, объединяющее в одном корпусе или на одном ...
http://power-e.ru/2008_4_20.php - 20562  симв.

Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET силовых транзисторов
Владимир Ланин Леонид Ануфриев Основные требования к монтажу кристаллов MOSFET Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET) в силу уникальных характеристик по ...
http://power-e.ru/2008_4_90.php - 25665  симв.

Монтаж корпуса DirectFet
Алексей Павленко Для работы в мощных AC/DC– и DC/DC – преобразователях в компьютерах, ноутбуках, телекоммуникационных системах и бытовых приборах компанией International Rectifier разработан ...
http://power-e.ru/2008_4_86.php - 13696  симв.

Особенности построения балластов для ламп высокого давления (HID Lamp ballasts)
Алексей Евстифеев Достоинства применения ЭПРА по сравнению с электромагнитными балластами: высокий коэффициент мощности (cosφ = 0,98–0,99); отсутствие низкочастотной пульсации ...
http://power-e.ru/2008_3_132.php - 25420  симв.

Тиристорные источники питания повышенной мощности для электротехнологических установок
Иршат Аитов В настоящее время ЭТУ индукционного нагрева, плавки металлов являются наиболее энергоемкими, причем на установки с плавильными печами и для нагрева крупногабаритных деталей ...
http://power-e.ru/2008_3_80.php - 29593  симв.

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо