200 страниц найдено для "mosfet".

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

Силовые MOSFET-транзисторы в корпусе SOT-23
Компания International Rectifier выпустила новую линейку MOSFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) для ...
http://power-e.ru/platan_09_09_2010.php - 1148  симв.

Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 5. Импульсные источники питания
Владимир Ланцов Саркис Эраносян Вчастях 1–3 [1–3] указывалось, что в настоящее время в электроэнергетике, силовой электронике существуют серьезные проблемы по обеспечению надежности. ...
http://power-e.ru/2009_3_4.php - 60344  симв.

Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 4. Импульсные источники питания
Владимир Ланцов Саркис Эраносян В части 1 [1] настоящей статьи указывалось, что, несмотря на очевидные достижения в последние годы в развитии электронных и электротехнических компонентов ...
http://power-e.ru/2009_2_4.php - 50468  симв.

Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 3
Владимир Ланцов Саркис Эраносян В части 1 [1] настоящей статьи указывалось, что, несмотря на достижения в развитии электронных и электротехнических компонентов за рубежом и в России, в то ...
http://power-e.ru/2009_1_4.php - 58117  симв.

Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 1
Владимир Ланцов Саркис Эраносян Все статьи цикла: Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 1 Надежность силовых устройств в России: мифы и ...
http://power-e.ru/2008_3_6.php - 36856  симв.

Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть I
Юрий Болотовский Георгий Таназлы В журнале «Силовая электроника» опубликованы следующе статьи цикла: Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть ...
http://power-e.ru/2004_01_90.php - 28118  симв.

Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть II
Юрий Болотовский Георгий Таназлы О конвергенции и достоверности получения результатов при моделировании в среде OrCAD 9.2 Среди причин, которые могут вызывать конвергенцию, выделяются ...
http://power-e.ru/2004_02_96.php - 42590  симв.

Расширение линейки автомобильных MOSFET
Компания International Rectifier объявила о расширении линейки специализированных MOSFET-транзисторов для приложений, требующих низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)), куда ...
http://power-e.ru/platan_29_08_2010.php - 1622  симв.

Мощные импульсные стабилизаторы в миниатюрном корпусе
Компания Analog Devices предлагает две новых микросхемы — ADP2302 и ADP2303. Это мощные понижающие стабилизаторы с входным диапазоном напряжений от 3 до 20 В и постоянной рабочей частотой. В новых ...
http://power-e.ru/eltech_20_08_2010.php - 1614  симв.

Сборка мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов для поверхностного монтажа
Владимир Ланин Анатолий Керенцев Варианты технологий поверхностного монтажа В настоящее время поверхностный монтаж электронных компонентов на платы — одно из перспективных направлений ...
http://power-e.ru/2009_3_76.php - 21432  симв.

Найденные страницы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо