Силовая электроника №3'2017

Петля теплового гистерезиса вольт-амперной характеристики силового полупроводникового прибора

Бардин Вадим

Воронков Антон

Новиков Дмитрий


Одним из главных параметров любого силового полупроводникового прибора (СПП), определяющим его нагрузочную способность и надежность, является температура полупроводниковой структуры. Поскольку ее непосредственное измерение не представляется возможным, для оценки теплового состояния СПП прибегают к различным косвенным методам. В статье излагается способ измерения одного из таких косвенных тепловых параметров — петли теплового гистерезиса прямой вольт-амперной характеристики (ПВАХ) СПП. Этот параметр позволяет осуществлять сравнительную оценку качества изготовления однотипных приборов.С помощью предложенной в статье методики можно осуществлять отбраковку транзисторов по тепловому параметру в одной партии однотипных СПП в течение нескольких секунд (один транзистор). Это существенно меньше по сравнению с «классической» методикой, где необходима предварительная градуировка транзисторов. Тепловое сопротивление (Rth) транзистора можно найти через коэффициент корреляции Rth с шириной петли.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо