Силовая электроника №1'2017

Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям

Араи Т. (T. Arai)

Ватанабе С. (S. Watanabe)

Ишибаши К. (K. Ishibashi)

Мори М. (M. Mori)

Ода Т. (T. Oda)

Сайто Кацуаки (Katsuaki Saito)

Тойода Ю. (Y. Toyoda)


Перевод:
Рентюк Владимир


В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT - модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику переключения, что значительно облегчило управление модулем со стороны затвора. Новый модуль при экспериментальной проверке продемонстрировал при включении снижение на 25% скорости нарастания dV/dt при тех же самых потерях, как и у прототипа такого модуля с пазовым затвором, но по технологии trench HiGT. Кроме того, подтверждено снижение скорости dV/dt и при выключении транзистора, достаточно широкая область безопасной работы SOA (Safety Operation Area) и устойчивость к коротким замыканиям третьего типа.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо