Силовая электроника №5'2016

Взаимосвязь разброса параметров силовых транзисторов и температуры их полупроводниковой структуры

Бардин Вадим

Новиков Дмитрий


В статье рассмотрена зависимость температуры силовых транзисторов от их параметров. Приведены результаты измерения различных параметров у 50 случайно отобранных IGBT-транзисторов одной серии. По измеренным параметрам рассчитываются мощность потерь и температура полупроводниковой структуры транзистора для статического режима работы при постоянном токе, строятся гистограммы распределения параметров по группе испытываемых транзисторов. Делаются выводы о зависимости распределения температур силовых транзисторов от разброса их параметров.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо