Силовая электроника №5'2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Евстифеев Алексей

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Q_g и R_dson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по этой теме

• Специализированные модули IGBT для трехуровневых инверторов
• Эскизы контуров силовой электроники середины текущего века
• Проблемы выбора ключевых силовых транзисторов для преобразователей напряжения с жестким переключением
• Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi
• Параметры и характеристики планарных NPT + IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В
• Выбор наилучшего силового ключа для источников питания по величине заряда затвора
• Вопросы управления IGBT: однополярное управление, использование внешней емкости затвора
• Улучшение характеристик импульсных источников питания путем измерения тока по R_DS(on)