Силовая электроника №5'2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Евстифеев Алексей

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Q_g и R_dson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по этой теме

• IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития
• Применение мощных полевых МОП-транзисторов с двойным N-каналом в синхронных преобразователях постоянного тока
• Выбор и использование полевых транзисторов компании STMicroelectronics для импульсных источников питания
• Параметры и характеристики планарных NPT + IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В
• Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью
• IGBT: инструкция по эксплуатации или об уважительном отношении к силовой электронике
• Маломощные источники питания для систем промышленной автоматики на микросхемах Power Integrations