Силовая электроника №5'2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Евстифеев Алексей

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Q_g и R_dson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по этой теме

• Высоковольтные силовые полевые МОП-транзисторы с суперпереходом класса 600/650 В
• Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET)
• Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs
• Меньше, умнее и мощнее: использование 800-В транзисторов семейства CoolMOS P7 для разработки обратноходовых источников питания
• Меньше, умнее и мощнее: использование 800-В транзисторов семейства CoolMOS P7 для разработки обратноходовых источников питания
• Выбор наилучшего силового ключа для источников питания по величине заряда затвора
• MOSFET-транзисторы в компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333
• Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов