Силовая электроника №5'2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Евстифеев Алексей

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Q_g и R_dson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по этой теме

• Все, что надо знать про SOA
• Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания
• Тепловой расчет СИТ-транзисторов и узлов силовых модулей с их применением. Часть 1
• Ключи к возрождению производства российской силовой электроники
  Часть 2
• Неидентичность
• IGBT силовые транзисторы International Rectifier шестого поколения
• Новые 20-В сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III
• Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET силовых транзисторов