Силовая электроника №5'2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания

Евстифеев Алексей

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Q_g и R_dson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt, что особенно важно для схем с мягким переключением.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по этой теме

• Меньше, умнее и мощнее: использование 800-В транзисторов семейства CoolMOS P7 для разработки обратноходовых источников питания
• Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 3
• Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems
• IGCT: отличные характеристики и различные подходы к их улучшению
• Силовые модули P0WERSEM — большая мощность в малом объеме
• Компоненты интеллектуальной силовой электроники: вчера, сегодня, завтра
• Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems
• Конструктивно-технологические особенности MOSFET полевых транзисторов