Силовая электроника №4'2016

Повышение производительности IGBT 5 за счет оптимизации конструкции модуля

Руше Вильгельм (Wilhelm Rusche)

Штегер Андре Р. (Andre R. Steger)


Перевод:
Рентюк Владимир


Повышенная тепловая мощность (Tvj,op = +175 °C) IGBT 5-го поколения и контролируемые по эмиттеру диоды (emitter controlled diode) компании Infineon Technologies позволяют увеличить рабочий ток силовых модулей, используемых в инверторных приложениях.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Силовая электроника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

*  *  *

Другие статьи по этой теме



 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо